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현대건설, ‘궁세권 아파트’ 힐스테이트 창경궁 11월 분양

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Wednesday, October 16, 2019, 15:10:15

지하 5층~지상 15층 규모...총 181세대 중 일반 159세대 분양
2016년 이후 종로구서 3년 만에 공급되는 새 브랜드 아파트

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 현대건설이 오는 11월 서울시 종로구 충신동 60번지 일원에서 ‘궁세권 아파트’ 힐스테이트 창경궁을 분양한다.

 

16일 현대건설에 따르면 힐스테이트 창경궁은 지하 5층~지상 15층, 1개 동, 총 181세대다. 이 가운데 일반에게는 159세대가 공급된다. 분양 면적은 ▲63㎡ 15세대 ▲76㎡ 41세대 ▲84㎡ 103세대로 중·소형 타입으로만 구성됐다.

 

서울에서 단지 이름에 ‘궁(宮)’이 붙은 아파트는 지난 2001년 종로구에서 분양됐던 경희궁의 아침이다. 분양 당시 단지 이름에 궁이 붙으면서 화제를 모았고 분양 시작 한 달 만에 분양을 마쳤다. 이후 서울 도심(중구, 종로구)에서 단지 명에 ‘궁(宮)’이 붙은 단지는 모두 3곳이다.

 

힐스테이트 창경궁은 2016년 이후 3년 만에 종로구에서 공급되는 새 아파트다. 2016년 종로구 무악동에서 경희궁 롯데캐슬이 공급된 바 있다.

 

종로구는 마땅한 부지가 없어서 새 아파트 공급이 희소한 지역으로 꼽힌다. 창신동과 숭인동을 중심으로 뉴타운 사업(창신‧숭인 재정비촉진지구)이 진행됐지만, 지난 2013년 조합해제 이후 투기지구로 지정되면서 현실적으로 신규 공급이 어려운 상황이다. 그나마 사업지 주변으로 소규모 주거환경개선사업(이화동 성곽마을)이 진행 중이다.

 

 

종로구 소재 아파트의 입주 연도를 살펴보면 45% 정도가 입주 20년 이상 됐다. 15년 이상과 10년 이상 된 아파트도 각각 12%와 24%에 달한다. 종로구 아파트 10채 가운데 8채 이상이 10년 이상 된 단지인 것이다.

 

힐스테이트 창경궁은 시청, 광화문을 잇는 ‘종로 중심업무지구’와 인접하다. 중심업무지구엔 각국의 대사관과 대기업 본사, 다국적 기업이 자리 잡고 있다. 단지는 서울 지하철 1호선 종로5가역과 동대문역, 4호선 동대문역 및 혜화역 등 지하철역과 가깝다.

 

또한 율곡로와 종로, 장충단로 등이 단지 근처에 있다. 서울대학교 병원, 국립 중앙의료원, 동대문 종합시장, 광장시장, 청평화시장, 현대시티아울렛 등 의료 시설과 상업 시설도 인접해 있다.

 

힐스테이트 창경궁 단지 근처에 초등학교, 중학교, 고등학교, 대학교 등이 많다. 단지에서 약 300m 거리에 효제초등학교가 있다. 이 외에 서울대학교 사범대학 부속여중학교(사대부여중), 서울과학고등학교, 경동고등학교, 중앙고등학교 등의 중‧고등학교가 가까이 있다. 아울러 홍익대 대학로 캠퍼스, 서울대 연건캠퍼스, 성균관대, 가톨릭대학교 성신교정, 고려대 등의 대학교 등도 인근에 있다.

 

한편, 힐스테이트 창경궁의 견본주택은 종로구 보령약국 인근 한일빌딩 3층(종로구 종로 199)에 마련된다. 11월 중 개관할 예정이다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 업계 최초 ‘고방열 모바일 D램’ 공급…“스마트폰 발열 잡는다”

SK하이닉스, 업계 최초 ‘고방열 모바일 D램’ 공급…“스마트폰 발열 잡는다”

2025.08.28 09:13:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 업계 최초로 반도체 후공정 필수 재료인 ‘High-K EMC’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발, 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔습니다. EMC(Epoxy Molding Compound)는 수분·열·충격·전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할을 합니다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도율을 높입니다. SK하이닉스는 “온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며 “이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”고 설명했습니다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(응용 프로세서) 위에 D램을 쌓아 올리는 PoP(Package on Package:적층 패키지) 방식을 적용하고 있습니다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 높이는 장점이 있지만, 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 불러옵니다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력, 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발했습니다. 이를 통해 열전도율을 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰고, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다고 회사 측은 설명했습니다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여해 모바일 업계의 관심과 수요가 높을 것으로 전망됩니다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축하겠다”고 말했습니다.




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