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“디스플레이·메모리 업황 개선”...삼성전자, 작년 4분기 영업익 9조·전년비 26%↑

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Thursday, January 28, 2021, 09:01:26

작년 연간 매출 236조 8100억원, 영업이익 35조 9939억원 기록

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 지난해 신종 코로나바이러스감염증(코로나19) 등 악재 속에서도 연간 영업이익을 36조원을 달성해 선방했습니다. 다만, 메모리 가격 하락과 환율 등이 4분기 실적에 부정적인 영향을 미쳤습니다.

 

28일 삼성전자는 2020년 연간 매출 236조 8100억원, 영업이익 35조 9939억원을 기록했다고 공시했습니다. 작년 4분기 연결 기준으로 매출 61조 5500억원, 영업이익 9조 500억원을 기록했습니다.

 

4분기 매출은 세트 제품 경쟁 심화와 메모리 가격 하락 등으로 전분기 대비 8.1% 감소한 61조 5500억원을 기록했습니다. 다만, 전년 동기 대비 부품 수요 개선으로 2.8% 증가했습니다.

 

영업이익은 메모리 가격하락, 세트 사업 매출 감소와 마케팅비 증가, 부정적 환율 영향 등으로 전분기 대비 3조 3000억원 감소했고, 영업이익률도 14.7%로 하락했습니다. 전년 동기 대비로는 디스플레이와 메모리 업황 개선으로 영업이익과 이익률이 모두 증가했습니다.

 

반도체는 지난해 4분기 매출 18조 1800억원, 영업이익은 3조 8500억원을 기록했습니다. 메모리 사업은 4분기 모바일 시장이 강한 상승세를 보이고, 데이터센터와 PC 시장도 양호해 수요는 견조했다는 분석입니다. 다만, 지속적인 가격 하락과 달러 약세, 신규 라인 초기비용 영향으로 이익은 약화됐습니다.

 

디스플레이의 경우 스마트폰과 TV 등 주요 제품 수요 회복으로 매출 9조 9600억원, 영업이익 1조 7500억원을 기록해 분기 최대 실적을 달성했습니다.

 

중소형 디스플레이는 주요 고객사의 수요 강세로 전분기 대비 실적이 대폭 개선됐는데요. 대형 디스플레이는 비대면 서비스 확대로 인한 TV와 모니터 패널 수요 등으로 평균 패널 판매가격도 상승해 전분기 대비 적자가 축소했습니다.

 

무선부문은 매출 22조 3400억원, 영업이익 2조 4200억원을 기록했습니다. 모바일 시장은 연말 성수기 영향과 점진적인 시장 회복으로 전분기 대비 수요가 증가한 것으로 예상됩니다.

 

같은 기간 소비자가가전 부문은 매출 13조 6100억원, 영업이익 8200억원을 달성했습니다. TV 시장은 연말 성수기 선진시장 중심의 펜트업(Pent Up) 수요 강세로 전분기 대비 확대됐습니다.

 

2020년 시설투자는 약 38조 5000억원이며, 사업별로는 반도체 32좋 9000억원, 디스플레이 3조 9000억원 수준입니다.

 

메모리는 향후 수요 증가 대응을 위한 첨단공정 전환과 증설로 투자가 증가했고, 파운드리도 EUV 5나노 공정 등 증설 투자로 전년 대비 크게 증가했습니다. 디스플레이도 QD 디스플레이 생산능력(CAPA) 확대와 중소형 신기술 공정 중심으로 전년 대비 투자가 증가했습니다.

 

삼성전자는 “4분기 환영향과 관련해, 달러화∙유로화 및 주요 이머징마켓(Emerging Market) 통화 대부분이 원화 대비 크게 약세를 나타내면서 부품사업 위주로 전분기 대비 약 1조 4000억원 수준의 부정적 영향이 있었다”고 분석했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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