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화웨이, ‘여성 개발자’ 프로그램 출범..기술혁신 주도한다

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Wednesday, March 10, 2021, 13:03:45

세계 여성 개발자 누구나 이 프로그램에 지원
경력 개발·기술 혁신 관련 다양한 기회가 제공

인더뉴스 권지영 기자ㅣ화웨이가 여성 개발자 프로그램을 출범해 기술혁 주도에 나섭니다. 

 

10일 화웨이에 따르면 전세계 여성 개발자들을 지원하기 위해 ‘화웨이 여성 개발자(HUAWEI Women Developers, HWD)’ 프로그램을 공식 출범합니다. 

 

이 프로그램은 여성 개발자들이 세상을 변화시킬 수 있는 애플리케이션과 툴을 개발할 수 있도록 하기 위한 권한 제공을 목표로 하고 있습니다.

 

또, 여성 개발자들에게 경력 개발과 기술 훈련을 위한 기회와 기반을 제공해 보다 많은 여성들이 기술 혁신에 참여하도록 장려하고자 합니다. 전세계 여성 개발자라면 누구나 이 프로그램 공식 홈페이지를 통해 참여할 수 있습니다.

 

디지털 시대를 맞아 디지털 경제에서 여성들이 근본적인 경쟁력을 갖추기 위해 교육과 훈련을 받을 수 있는 더 많은 기회와 지원이 주어져야 합니다. 여성이 기술 개발에 적극 참여할수록 포용적이고 다양성이 존중 받는 사회로 더욱 빠르게 진일보 할 수 있습니다.

 

천리팡(Chen Lifang) 화웨이 대외협력 및 홍보부문 총괄사장은 “우리는 여성이 기술혁신을 주도할 것으로 믿는다”며 “화웨이 여성 개발자 프로그램(HWD)은 여성들이 자신의 재능과 특별한 가치를 잘 활용하고 그들의 리더십을 보여줄 수 있는 다양한 기회를 제공할 것”이라고 말했습니다. 이어 그는 “이 프로그램은 세상을 더 좋은 곳으로 만드는 데 기여할 것”이라고 덧붙였습니다. 

 

이 프로그램은 참가자들에게 기술혁신과 경력 개발을 할 수 있는 교육을 제공하고, 다양한 분야의 첨단 기술 전문가들과의 폭넓은 교류를 맺고 실무 시나리오를 바탕으로 실험과 훈련에 참여할 기회도 선사합니다. 향후에는 여성 개발자를 위한 커뮤니티가 생성되고 다양한 온오프라인 행사도 개최될 것으로 기대됩니다.

 

화웨이는 ‘샤이닝 스타(Shing-Star)’ 프로그램을 운영하며 여성 개발자에게 특별 인센티브를 제공, 기업가정신과 혁신을 장려하고 있습니다. 화웨이는 이 프로그램에서 성장 가능성을 보여준 참가자들을 향후 ‘화웨이 여성 개발자’ 프로그램에서 개최할 다양한 캠페인과 화웨이 주최 행사에 초청할 예정입니다.

 

화웨이는 지금까지 아일랜드, 아르헨티나, 방글라데시, 케냐, 남아프리카공화국 등 다양한 국가에서 여성을 위한 디지털 기술 훈련 프로그램을 성공적으로 진행했습니다. 화웨이가 미래 ICT 인재 양성을 위해 운영하는 ‘씨드 포 더 퓨처(Seeds for the future)’의 경우 교육생 중 30% 이상이 여성입니다.

 

한편, 화웨이는 한국에서도 미래 여성 ICT 인재 양성에도 많은 관심과 노력을 기울이고 있습니다. 한국화웨이는 이화여자대학교와 공동으로 국내 유일의 여고생 대상 프로그래밍 대회인 ‘전국 여고생 프로그래밍 경진대회’를 이어오고 있습니다. 

 

대회 참가 여학생들은 프로그래밍 언어 실력과 문제 해결 능력을 바탕으로 주어진 과제를 수행하고 전문 심사위원단의 심사를 거쳐 입상 학생들을 선발합니다. 지난 2016년에 시작된 이 대회는 지난해까지 약 600여명의 여고생들이 참여했습니다. 화웨이 여성 개발자 프로그램에 대한 자세한 내용은 홈페이지에서 확인할 수 있다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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