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SK이노-LG엔솔 ‘배터리 전쟁’ 전격 합의...오늘 중 발표

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Sunday, April 11, 2021, 10:04:06

美 대통령 거부권 시한 하루 남기고 합의

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣSK이노베이션과 LG에너지솔루션이 전기차 배터리 영업비밀 침해 분쟁에 대한 조 바이든 대통령의 거부권 행사 시한을 하루 앞둔 10일(현지시간) 전격 합의에 성공했습니다.

 

11일 블룸버그통신, 로이터통신 등 외신에 따르면 주말 사이 양측이 합의에 이르러 주말 내 합의 내용이 발표될 것이라고 밝혔다고 전했습니다. 외신들은 이에 따라 SK이노베이션이 조지아주 공장 건설 등 미국에서 배터리 사업을 계속 영위할 것이라고 보도했습니다.

 

양사는 현재 합의 발표문을 최종 조율하고 있는 것으로 알려졌습니다. 배상 방식은 현금뿐만 아니라 로열티 등 다양한 방식으로 결정됐으며 이르면 주말 내 발표할 것으로 보입니다.

 

미국 국제무역위원회(ITC)는 지난 2월 양사의 영업비밀 침해 분쟁 최종 결정에서 LG에너지솔루션의 손을 들어주고 SK이노베이션에 10년간 수입금지 제재를 내린 바 있습니다. 이번 합의로 SK이노베이션의 수입금지 조처가 무효화되면서 SK이노베이션의 미국 사업이 차질없이 운영될 전망입니다.

 

바이든 대통령의 거부권 행사 시한은 ITC 최종 결정일로부터 60일째인 11일(현지시간)까지였습니다. 미 정부는 ITC의 최종 결정이 나온 후 전기차 공급망 구축과 일자리 창출 등 자국 경제 영향을 고려해 양사에 합의를 요청한 것으로 전해집니다.

 

SK이노베이션과 LG에너지솔루션은 ITC 최종 결정 이후 60일 가까이 배상금 규모에 합의를 보지 못한 채 협상은 교착 상태였습니다.

 

SK이노베이션은 미국 사업 철수를 언급하며 미 대통령 거부권 행사에 총력을 기울였습니다. LG에너지솔루션 역시 대통령 거부권 방어에 주력했습니다. LG측은 배상금 3조원 이상을, SK측은 1조원 수준을 제시하는 등 격차가 커 합의가 쉽지 않았습니다.

 

이번 합의는 사실상 미 정부 중재로 성공했다는 분석이 나옵니다. 미국 무역대표부(USTR)는 ITC 최종 결정 이후 백악관을 대신해 거부권 행사 여부를 검토했으며 막판까지 양사의 합의를 요구한 것으로 알려졌습니다. 한국 정부도 지난 2월 ITC 최종 결정을 앞두고 정세균 국무총리 등이 나서 양 사에 합의를 촉구한 바 있습니다.

 

이로써 햇수로 3년을 끌어온 소송이 이번 합의로 매듭지으며 SK이노베이션과 LG에너지솔루션은 미국 사업에 대한 리스크를 해소하게 됐습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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