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KT, ‘한국판 실리콘밸리’ 이끌 스타 벤처 발굴 나선다

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Wednesday, April 14, 2021, 11:04:33

관악S밸리 조성 사업 일환으로 ‘미래 성장기업 발굴 Digico 공모전’ 열어
AI·빅데이터·클라우드·미디어·헬스·로봇 등 미래성장 사업 분야 모집

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣKT가 한국판 실리콘밸리인 ‘관악S밸리’의 스타 벤처 발굴과 육성에 본격 나섭니다.

 

14일 KT(대표 구현모)에 따르면 관악S밸리 조성 사업의 일환으로 유망 벤처·중소기업을 발굴하고 KT와 미래성장 사업을 공동 개발하는 ‘미래 성장기업 발굴 Digico 공모전’ 프로그램을 진행합니다.

 

관악S밸리는 지난해부터 KT가 관악구, 서울대학교와 함께 관악구 대학동 및 낙성대동을 중심으로 조성하고 있는 벤처창업 클러스터입니다. 

 

KT, 관악구, 서울대학교는 서울대의 우수 인재와 연구 역량을 바탕으로 아시아 최대 스타트업 육성 클러스터 구축과 스타트업 성장이 지역경제 활성화로 이어지는 자생적 창업 생태계 조성을 목표로 다양한 프로그램을 운영 중에 있습니다.

 

이번 ‘미래 성장기업 발굴 Digico 공모전’ 모집 대상은 AI, Big Data, Cloud, 미디어, 헬스, 로봇 등 KT와 미래성장 사업 협력을 희망하는 벤처기업 및 중소기업입니다.  

 

참여를 희망하는 기업들은 공모전 접수 홈페이지를 통해 신청 가능하며, 모집 마감은 6월 6일까지인데요. KT는 1차 서류심사와 2차 PT발표 등을 통해 참여 기업의 사업 역량과 창의성, 미래성장 가능성 등을 평가해 최종 4개 기업을 선발할 계획입니다.

 

선발된 기업들은 총 4천만원의 시상금 지급받게 되며, 이후 KT와 논의를 통해 공동 사업화를 위한 개발을 진행하게 됩니다. 이와 더불어 KT는 별도 심사를 통해 기업당 최대 1억원 규모의 사업 비용을 지원하는 ‘비즈 콜라보레이션’ 프로그램의 선발 기회를 제공하며, KT 인베스트먼트를 통한 투자 심사 통과시 추가 투자도 진행할 계획입니다.

 

또한, 선발된 기업들은 KT가 관악S밸리에 창업보육 업무공간으로 구축 중인 ‘KT Digico Lab(가칭)'에 1년간 입주할 수 있는 기회도 누리게 됩니다. 이밖에 관악구, 서울대, KT는 사업화 과정에서 멘토링과 행정 업무도 지원한다는 방침입니다.

 

신금석 KT SCM전략실장(상무)는 “관악S밸리 조성사업 협력으로 진행되는 이번 공모전을 통해서 Digico KT의 미래 성장 사업의 주역이 될 스타 벤처기업이 탄생하길 기대한다”며 “앞으로도 KT는 혁신 창업 생태계 활성화를 위해 관악S밸리 조성사업에 적극 나설 것”이라고 말했습니다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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