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과기부, 대형 AI연구·인재양성 위해 인공지능 중심 ‘허브’ 공모한다

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Thursday, May 27, 2021, 15:05:21

28일부터 30일간 공고시작..7월말 대규모 연합체 최종 선정
고위험·도전형 협동연구·AI인재양성 구심점 역할 수행

 

인더뉴스 이승재 기자ㅣ과기정통부가 산·학·연(산업계·학계·연구분야) AI 역량을 모아 세계적 수준의 연구와 인재를 양성할 ‘AI 허브’ 사업을 본격 추진합니다.

 

과학기술정보통신부(장관 임혜숙)는 오는 28일 허브 사업을 공고하고 다음달 28일까지 신청을 받아 7월말까지 대형 산·학·연 컨소시엄(연합체)을 최종 선정할 예정이라고 27일 밝혔습니다. 사업 설명회는 다음달 3일 대전 정보통신기획평가원(IITP)에서 사전 신청자를 대상으로 개최됩니다.

 

AI(인공지능) 허브는 대학을 중심으로 산·학·연의 다수 기관이 참여하는 대규모 컨소시엄입니다. 참여기관 간 인력·인프라 등을 상호 연계하고, 고난도·도전적 성격의 대형 연구과제를 협동 연구합니다.

 

과학기술정보통신부(이하 과기정통부)는 AI대학원 ▲서울대 ▲고려대 ▲연세대등 10곳과 함께 지역 산업계와 AI 기술 및 인재 협력을 위한 AI융합연구센터를 ▲인하대 ▲부산대 등 총 4곳에 신설해 확대하는 등 최고급 AI인재양성 지원을 강화해왔습니다.

 

또한 대학에서는 자체 AI 연구기관 설립을 통해 AI 연구와 인재양성에 나섰습니다. 최근 국내 주요기업들도 국제 경쟁력 확보와 미래 유망분야 선점을 위해 대규모 차세대 AI 연구 등 투자를 확대하고 있습니다.

 

과기정통부는 정부와 민간에서 축적되고 있는 AI 연구 역량을 모으고, 인프라를 연계해 세계적 수준의 경쟁력을 갖춘 국가 연구체계를 갖추기 위해 AI 혁신 중심지를 구축하게 됐습니다.

 

컨소시엄에는 AI 대학원을 포함해 보다 많은 대학과 기업·출연연 등의 참여를 유도합니다. 컨소시엄이 선정된 후에도 추가적 참여를 보장하는 개방적 형태로 운영할 계획입니다.

 

AI 허브에서는 실패 가능성이 있더라도 성공할 경우 파급력이 큰 고위험·도전형 과제·산업계의 현안 등을 주로 연구합니다. 또 개별 주체가 수행하기 어려운 협동 연구과제를 발굴해 지원할 예정입니다.

 

이를 위해 연구에 축적한 연구경험과 실적이 풍부한 우수 연구자와 산업계 전문가 등이 참여토록 하고, 연구 기획·수행·평가 등 연구 모든 단계에서 연구자의 자율성을 최대한 보장할 계획입니다.

 

‘포닥’(박사후연구원)과 박사과정생 등이 우수 연구진과 함께 고난도 과제를 수행해 최고 수준의 인재로 성장할 수 있도록 엽합체 참여대학을 중심으로 한 공동 교육 프로그램도 운영합니다.

 

아울러 AI 허브 사업 추진을 위한 컴퓨팅 인프라를 구축하는 것과 병행해 각 참여기관들이 보유하고 있는 기존 컴퓨팅 자원을 연계합니다. 이로써 세계적 수준의 연구에 필요한 컴퓨팅 파워를 확보할 생각입니다.

 

과기정통부는 연구 방향 설정과 인프라 구축·연계 등 AI 허브 사업 운영 전반에 관한 주요 사항을 논의하기 위한 최고 의사결정 기구로서 산·학·연 최고 전문가가 참여하는 운영위원회도 구성하기로 했습니다. AI 허브 선정에 대한 세부사항 및 신청 양식 등은 오는 28일 12시부터 정보통신기획평가원 누리집을 통해 게시됩니다.

 

조경식 과기정통부 제2차관은 “AI 대학원, 지역 AI 융합연구센터에 이어, 산·학·연의 참여와 협력의 구심점인 AI 혁신 중심지 허브를 추진해 국가 AI 연구 및 인재양성의 체계를 견고히 갖추게 됐다”며 “이를 통해 국가 AI 경쟁력이 한 단계 도약할 수 있도록 정부가 적극 지원하겠다”고 말했습니다.

 

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이승재 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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