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공정위, 박문덕 하이트진로 회장 고발…“경제적 이득 취하지 않아”(종합)

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Monday, June 14, 2021, 15:06:41

자료 제출 시 연암 등 5개 회사·친족 7명 고의 누락

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣ공정거래위원회가 박문덕 하이트진로 회장을 허위자료를 제출한 혐의로 검찰 고발한 것과 관련해 회사측은 충분한 소명이 반영되지 않아 아쉽다는 입장을 내놨습니다. 

 

공정거래위원회는 하이트진로의 동일인(그룹총수) 박문덕 회장이 2017년~2018년 동안 하이트진로그룹 현황 자료를 제출하면서 친족이 지분 100%를 보유한 5개사(연암·송정·대우화학·대우패키지·대우컴바인)를 누락했다고 14일 밝혔습니다.

 

5개사 중 연암·송정은 박 회장의 조카들이, 대우3사는 박 회장의 고종사촌과 그 아들·손자 등의 친족이 지분 100%를 보유한 개인회사입니다.

 

공정위 관계자는 “동일인인 박 회장이 지정자료 제출 의무 위반에 대해 인지하고 있었을 가능성이 현저하거나 상당하다”며 “이는 ‘기업집단 관련 신고 및 자료제출의무 위반 행위에 대한 고발지침’상 고발기준을 충족했다“고 설명했습니다.

 

공정위에 따르면 연암·송정은 박 회장이 계열회사로 미편입됐다는 사실을 보고 받고도 지정자료 제출시 누락을 결정한 회사였습니다. 대우화학 등 나머지 3개사는 계열회사 직원들도 친족회사로 인지해왔던 회사로서 하이트진로와의 내부거래 비중이 높았습니다.

 

공정위는 박 회장이 2003년부터 다수의 지정자료 제출 경험이 있고, 지정자료 허위제출 행위로 경고를 받은 전력이 있는 점 등을 고려해 고발을 결정했습니다.

 

또 박 회장은 2017년~2020년 기간 (유)평암농산법인을 고의로 누락한 행위로 고발 조치당했습니다. (유)평암농산법인은 주주 임원이 계열회사 직원들로 구성된 회사로 농지를 진로소주에 양도한 바 있습니다. 공정위는 박 회장이 이 회사의 존재를 알고 있었지만 지정자료 제출시 누락했다고 설명했습니다.

 

아울러 박 회장은 대우화학 등 3개사와 관련된 7명의 친족을 누락한 채 지정자료를 제출했습니다. 공정위는 지정자료 제출시 친족 현황자료로 동일인의 친족(혈족 6촌·인척 4촌 이내)을 모두 기재하도록 하고 있습니다. 누락된 친족들은 고모의 일가로서 박 회장이 이미 인지하고 있었습니다.

 

이번 고발 조치는 대기업 집단의 고의적인 지정자료 허위제출에 대해 고발지침을 적용한 세 번째 사례입니다.  공정위는 “계열회사 및 친족 누락 행위는 경제력집중 억제시책의 근간을 훼손하는 일”이라며 “향후 지정자료의 진실성 확보를 위한 감시활동을 지속하겠다”고 말했습니다.

 

이에 하이트진로 관계자는 “대우3사(대우화학·대우패키지·대우컴바인) 모두 동일인인 박 회장과 무관한 독립 경영을 하고 있으며 고의적인 은닉을 의도한 바가 없다”며 “특별한 경제적 이득을 취한 바 없음을 소명했음에도 이 부분이 충분히 반영되지 않은 것 같아 아쉽지만 향후 진행될 검찰 조사에 성실히 임하겠다”고 말했습니다. 

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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