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현대차·LG엔솔, 인니에 배터리셀 합작공장 세운다…1.2조원 투자

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Thursday, July 29, 2021, 10:07:29

2024년 양산..연간 10GWh 규모 배터리셀 생산
양측 각 50% 지분 보유..“전략적 파트너십 강화”

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ현대자동차그룹과 LG에너지솔루션이 아세안 전기차 시장 공략을 위해 인도네시아에 합작공장을 세웁니다.

 

현대자동차그룹과 LG에너지솔루션은 인도네시아에 연산 10기가와트시(GWh) 규모의 배터리셀 합작공장 설립을 위해 인도네시아 정부와 투자협약을 체결했다고 29일 밝혔습니다.

 

현대자동차그룹측 조성환 현대모비스 사장과 김종현 LG에너지솔루션 사장이 지난 28일 여의도에 위치한 LG에너지솔루션 본사에서 만난 가운데, 바흐릴 라하달리아 인도네시아 투자부 장관이 온라인 화상으로 참석해 체결식을 진행했습니다. 

 

이번 협약 체결에 앞서 최근 현대차그룹과 LG에너지솔루션은 배터리셀 합작공장 설립 계약을 체결했습니다. 양측은 합작공장 설립을 위해 약 11억달러(1조1700억원 규모)를 투자하기로 했습니다. 합작공장에 대한 지분은 현대차그룹과 LG에너지솔루션이 각각 50%씩 보유합니다.

 

양측은 3분기 합작법인 설립을 완료한 뒤 4분기에 착공에 나설 예정입니다. 오는 2023년 상반기 완공을 목표로 하며, 2024년 상반기 내에는 배터리셀 양산에 돌입할 계획입니다. 합작공장은 총 33만㎡의 부지에 지어집니다. 연간 전기차 배터리 약 15만대분 이상인 10기가와트시(GWh) 규모의 배터리셀을 생산할 예정입니다.

 

이 곳에서 생산되는 배터리셀은 LG에너지솔루션의 배터리 신기술을 적용해 고함량 니켈(N)과 코발트(C), 망간(M), 출력을 높여주고 화학적 불안정성을 낮춰줄 수 있는 알루미늄(A)을 추가한 고성능 NCMA 리튬이온 배터리셀입니다. 우선적으로 2024년부터 생산되는 현대차와 기아의 E-GMP가 적용된 전용 전기차에 탑재됩니다.

 

양측은 배터리셀 합작공장을 통해 현대차그룹의 전용 전기차에 안정적으로 배터리를 공급함으로써 폭발적으로 증가할 글로벌 전기차 수요에 적극적으로 대응할 수 있는 체계를 갖출 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

 

양사는 배터리셀 합작공장이 원자재 공급부터 배터리셀 제조, 완성차 생산까지 드는 비용과 시간을 최소화할 수 있다고 전했습니다. 배터리셀 합작공장은 현대차의 인도네시아 완성차 공장과 함께 아태 권역 전체 시장 공략에도 핵심적인 역할을 하게 될 전망입니다.

 

아세안 시장은 완성차에 대한 역외 관세가 최대 80%에 이를 정도로 관세 장벽이 높지만 아세안자유무역협약(AFTA) 참가국 간에는 부품 현지화율이 40% 이상일 경우 무관세 혜택이 주어지는 만큼, 인도네시아 현지에서 배터리셀을 생산함으로써 이를 적극 활용할 수 있게 됐습니다.

 

현대차그룹 관계자는 “이번 합작을 통해 LG에너지솔루션의 배터리 기술력과 당사의 오랜 기간 축적된 완성차 생산 및 품질관리 역량을 극대화할 수 있을 것”이라며 “가격 경쟁력과 기술력, 품질을 모두 갖춘 배터리를 안정적으로 확보하고 미래 전기차 핵심 시장이 될 아세안 지역 공략에도 적극 나설 계획”이라고 말했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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