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포스코케미칼, 배터리 핵심소재 ‘중국 기업’ 지분 13% 인수

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Thursday, September 09, 2021, 11:09:03

내년부터 음극재 원료 공급 받아..“원료경쟁력 확보 박차”

 

인더뉴스 문정태 기자ㅣ포스코케미칼이 구형흑연에 투자해 배터리 핵심소재인 음극재 원료의 안정적 확보에 나섭니다.

 

9일 포스코케미칼에 따르면 중국 흑연 가공 회사인 청도중석 지분 13%를 인수하고, 2022년부터 음극재 생산에 필요한 구형흑연을 공급받기로 했습니다.

 

청도중석(중국 산둥성 핑두시 소재)은 연간 2만5000톤 구형흑연 생산능력 갖춘 회사로, 중국 최대 규모 흑연 원료 전문기업인 하이다의 자회사로 하이다는 다수의 흑연 광산과 가공 공장 보유 중입니다.

 

구형흑연은 흑연광석을 고품질 음극재 제조에 적합한 형태로 가공한 중간원료로, 흑연 입자를 둥글게 구형화하고 불순물을 제거하는 공정을 거칩니다. 음극재는 배터리 충전시 리튬이온을 저장하는 역할을 하는데, 원료 가공 단계부터 균일하고 안정적인 품질을 확보하는 것이 배터리 충전속도와 수명에 중요한 영향을 미친다는 게 회사의 설명입니다.

 

국내 유일 양극재·음극재 동시 생산기업인 포스코케미칼은 그동안 고성능 전기차 배터리용 저팽창 음극재를 독자 개발하는 등 음극재 기술개발과 및 고객사 확대를 위한 노력을 기울여왔습니다.

 

저팽창 음극재는 배터리에 쓰이는 천연흑연 음극재와 인조흑연 음극재의 장점을 결합한 소재입니다. 천연흑연의 강점인 에너지 저장용량을 유지하면서도, 인조흑연처럼 수명을 늘리고 충전 속도를 높일 수 있도록 팽창을 억제하는 소재 구조를 갖추고 있습니다.

 

지난 2010년 음극재 사업에 진출해 국내 최초로 국산화에 성공한 포스코케미칼은 현재 국내 배터리 3사를 비롯해 미국 얼티엄셀즈 등을 고객사로 확보하며 시장 점유율을 높여가고 있습니다.

 

시장조사 기관인 SNE 리서치에 따르면 전기차 급속 성장에 따라 글로벌 음극재 사용량은 2020년 27만 3000톤에서 2030년 205만4000톤으로 연 평균 22% 이상 성장할 것으로 전망됩니다.

 

포스코케미칼 측은 “이번 지분 인수를 계기로 음극재 원료를 안정적으로 확보하는 등 원료 채굴, 중간 원료, 소재 생산에 이르는 음극재 사업의 밸류체인을 구축하게 됐다”며 “이를 바탕으로 향후 음극재 생산능력을 올해 4만4000톤, 2025년 17만2000톤, 2030년 26만톤까지 확대하겠다”고 밝혔습니다.

 

한편, 포스코케미칼은 지난 8월 음극재 코팅용 피치 국산화에 돌입하고, 포스코는 올해 1월 탄자니아 흑연 광산을 보유한 블랙록마이닝의 지분 15%를 인수하는 등 음극재 원료 확보를 해 그룹 차원의 노력을 기울여 왔습니다.

 

이와 함께 양극재 사업에서도 연산 10만톤의 광양공장 건설을 2022년까지 완료하고, 연 6만톤 생산이 가능한 포항공장 건설도 추진합니다. 또한 전기차 수요가 급증하는 중국, 미국, EU 등에도 생산 거점을 구축하고 안정적인 글로벌 공급망을 확보할 계획입니다.

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문정태 기자 hopem1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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