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수소충전소 설립 쉬워지고 아파트 동간 거리 좁힌다

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Monday, November 01, 2021, 15:11:01

수소충전소 설치기준 완화
공동주택 동간거리 개선 등
건축법시행령 및 건축물분양법 시행령 개정안 시행

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ규제가 많았던 수소충전소 설립 기준이 완화되고 1층 필로티의 활용이 쉬워집니다. 국토교통부는 이러한 내용을 담은 ‘건축법시행령’과 ‘건축물분양법 시행령’ 개정안을 공포하고 시행한다고 2일 밝혔습니다.

 

이번 개정안은 ▲복합수소충전소 건축면적 완화 ▲공동 주택 동간 거리 개선 ▲신규생활숙박시설의 주택전용 방지 ▲소규모 주택 1층 필로티에 위치한 주거지원시설 층수에서 제외를 중심으로 구성돼 있습니다.

 

주유소·LPG충전소 등에서 복합수소충전소를 지을 때 건축 면적에서 제외하는 지붕 끝부분의 길이를 1m에서 2m로 늘립니다. 기존에는 수소충전소를 추가로 건축하려 해도 건폐율 최대한도를 초과해 추가 건축이 어려웠습니다.

 

국토부는 건축면적 완화적용을 통해 수소충전소가 확대될 것으로 기대한다고 전했습니다.

 

 

현행 아파트 동간 거리 기준은 전면(동-남-서 방향)의 낮은 건물 높이의 0.5배 또는 후면의 높은 건물 높이의 0.4배 이상의 거리를 떨어뜨려야 합니다. 이로 인해 주변 조망 등을 고려한 다양한 건축 계획에 제약이 있었습니다.

 

개정안을 통해 낮은 건물이 전면에 있는 경우 건물 간 거리 기준을 낮은 건물의 0.5배 이상으로 개선합니다. 국토부는 전면의 낮은 건물이 후면의 높은 건물의 채광에 미치는 영향이 크지 않다는 것이 개정의 이유라고 설명했습니다.

 

다만, 이 경우에도 사생활 보호·화재확산 등을 고려해 건물 간 최소 이격거리인 10m는 유지해야 합니다.

 

 

생활숙박시설의 주거용도 불법전용을 막기 위해 용도 안내강화와 건축기준 제정도 이뤄집니다.

 

아울러 1층 필로티에 위치한 아이돌봄센터·가정어린이집·공동생활가정·지역아동센터·작은도서관 등의 지원 시설은 주택 층수에서 제외합니다.

 

국토부 관계자는 “이번 제도개선을 통해 복합수소충전소 건축면적 완화를 통해 수소경제 활성화에 기여할 것으로 기대한다”며 “아파트의 다양한 형태와 배치가 가능해져 조화로운 도시경관을 창출하고 생활숙박시설 건축기준 마련 등을 통해 불법전용을 방지할 수 있을 것이다”라고 말했습니다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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