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금융위원장 “카드사, 종합페이먼트 진출 지원하겠다”

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Wednesday, November 17, 2021, 16:11:32

고승범 금융위원장, 카드사·캐피탈사 CEO들과 간담회 진행
여신전문금융업 발전·지원 방향 제시

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ고승범 금융위원장은 17일 서울 중구 여신금융협회에서 카드사·캐피탈사 등 여전회사(여신전문금융회사) 최고경영자(CEO)들과 진행한 간담회를 통해 여전업계의 발전 방안을 밝혔습니다.

 

고 위원장은 모두발언에서 2003년 카드사태 이후 여전업계가 체질 개선 노력 등을 통해 꾸준히 성장한 점을 격려하며 “4차 산업혁명시대 디지털 전환, 금융·비금융간 경계가 허물어지는 융·복합시대에 금융산업도 커다란 변화를 겪고 있다”며 “여전업의 미래와 경쟁력 확보 방안을 고민해야 할 시점”이라고 말했습니다.

 

고 위원장은 여신전문금융업의 발전방향으로 먼저 카드사의 ‘종합 페이먼트(Payment) 사업자’ 변신을 지원하겠다는 방침을 밝혔습니다.  

 

고 위원장은 “전자금융거래법 개정시 도입되는 지급지시전달업(Mypayment)을 카드사에게 허용하겠다”며 “이를 통해 데이터 활용 영역을 확장하고, 축적된 데이터를 통해 다시 새로운 업무영역을 개척할 수 있는 선순환의 고리를 만들어 나가겠다”고 말했습니다.

 

이를 위해 금융위는 ▲본인신용정보관리업(Mydata) ▲개인사업자 신용평가업 ▲빅데이터분석·가공·판매 및 컨설팅 업무와 더불어 지난해 8월부터 허용된 카드사의 부수·겸영 업무를 확대를 지원할 계획입니다. 

 

카드사・캐피탈사가 생활밀착형 금융플랫폼으로 발전하는 방안도 내놓았습니다. 고 위원장은 “마이페이먼트(Mypayment)와 마이데이터(Mydata)를 통한 개인 맞춤형 금융수요 창출을 지원하고 e커머스와 live커머스 등으로 플랫폼 사업 영역을 확대하도록 지원하겠다”고 밝혔습니다.

 

더불어 “자동차·기계설비 등을 살 때 항상 보험이 연계되는 특성을 감안해 마이데이터 사업에 참여하는 캐피탈사의 보험대리점 업무 진출 허용도 검토하겠다”고 했습니다.

 

여전산업의 규제 개선안도 제시했습니다. 고 위원장은 “신기술사업금융사의 창업 신기술기업에 대한 투자가 확대될 수 있도록 규제를 완화하겠다”며 “최근 개인투자자의 신기술사업 투자가 증가하고 있는 만큼 소비자 보호의 측면에서 필요한 규제는 보완해 나가겠다”고 말했습니다.

 

또한 “캐피탈사가 4차산업, 환경 분야 산업발전의 토대를 제공하도록 관련 업무용 부동산 리스 분야에 진출하는데 필요한 제도적 지원도 검토하겠다”며 “카드사 등의 비대면 영업 지원을 강화하기 위해 종이 없는(Paperless) 영업환경도 만들어 나가겠다”고 말했습니다.

 

고 위원장은 “여전업이 국민 생활에 밀접하게 닿아 있는 영역인 만큼 여전사의 혁신노력이 더욱 요구된다”며 “앞으로 기회있을 때마다 시장참가자들과 소통하는 자리를 마련해 금융산업 발전방안을 구체화할 계획”이라고 덧붙였습니다.

 

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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