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“마지막 고비 앞둔 코스피…외국인 비중 늘리는 반도체·2차전지 위주 대응”

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Monday, December 13, 2021, 09:12:39

신한금융투자 분석
12월 FOMC 미팅 전후 변동성 확대 예상

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ이달 열리는 미국 연준의 FOMC(공개시장위원회)가 올해 코스피의 마지막 고비가 될 것이라는 전망이 나오고 있다. 이러한 가운데 낙폭과대 업종보다 외국인이 비중을 확대하고 있는 반도체, 2차전지, 커뮤니케이션 위주 접근 전략이 유효하다는 분석이 제기됐다.

 

13일 신한금융투자는 오미크론 변이로 인한 금융시장의 변동성 정점은 지난 것으로 판단했다.

 

지난 주말 백신 효과성에 대한 연구들이 발표됐다. 영국 보건국은 기존 백신이 델타 변이보다 오미크론 변이에서 낮은 효과성을 보였지만 3차 접종 시 70~75%의 효능을 보였다고 밝혔다. 화이자 또한 기존 백신이 중증 예방 효과는 뛰어났다는 연구 결과를 발표했다.

 

노동길 신한금융투자 연구원은 “발표들을 종합하면 3차 접종으로 오미크론 변이에 대해 높은 면역력을 확보하고 치명률을 낮게 제어할 수 있다는 결론에 도달할 수 있다”며 “금융시장 반응을 보면 변동성 정점은 지난 모양새”라고 설명했다.

 

12월 FOMC가 코스피의 마지막 고비가 될 것이라고 전망했다.

 

노 연구원은 “12월 FOMC에서 테이퍼링 가속화를 결정할 가능성이 높은 상황에서 관건은 인플레이션 지표”라며 “금리 인상 우려를 앞당기면서 주식시장은 FOMC 전후 변동성을 보일 수 있다”고 설명했다.

 

신한금융투자는 인플레이션 궤적이 유가 상승률 영향을 크게 받기 때문에 최근 유가 상승률 둔화를 고려하면 내년 인플레이션 우려가 완화될 수 있다고 분석했다. 테이퍼링 가속화 후 실제 금리 인상까지 걸릴 시간이 현재 투자자 예상보다 길어질 수 있어 이 국면에서 위험자산 가격 회복 가능성이 높다고 전망했다.

 

 

현재 분위기 속에서 외국인 투자자의 움직임에 따라 시장에 대응해야 한다고 조언했다.

 

노 연구원은 “현재 외국인 투자자가 선물과 현물 시장 동반 순매수로 국내 주시식시장의 익스포저를 키우고 있다”며 “한국 주식시장 방향성을 결정하고 있는 주체가 외국인이라는 사실이 최근 들어 더 뚜렷해졌다”고 설명했다.

 

이어 그는 “외국인의 선물 매수 포지션 규모가 5만 7000 계약으로 수급 상황만 보면 지수 회복세에 자신감을 더할 수 있는 환경”이라며 “낙폭과대 업종보다 외국인이 비중을 적극 확대하고 있는 반도체, 2차전지, 커뮤니케이션 업종 위주로 접근해야 한다”고 말했다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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