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SK그룹, CES 2022서 ‘탄소 저감 기술’로 주목

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Thursday, January 06, 2022, 11:01:11

SK 전시관에 설치된 ‘그린 포레스트 파빌리온’
전력 소모 80% 줄이는 AI 반도체 ‘사피온’

 

인더뉴스 이수민 기자ㅣSK그룹[034730]은 미국 라스베이거스에서 개막한 세계 최대 가전·IT(정보기술) 전시회 ‘CES 2022’에서 전사 차원의 탄소 저감기술 성과와 프로그램을 공개했다고 6일 밝혔습니다. 

 

SK그룹을 포함해 SKT[017670], SK이노베이션[096770], SK E&S, SK하이닉스[000660], SK에코플랜트 등 6개사가 이번 CES에 참여했습니다.

 

SKT는 ‘그린 포레스트 파빌리온’에 방점을 찍었습니다 그린 포레스트 파빌리온 전시관은 ▲ 그린 애비뉴(Green Avenue) ▲ 생명의 나무(Tree of Life) ▲ 내일로 가는 발걸음(Walk to Tomorrow) ▲ 그린 플레이그라운드(Green Playground) 등 4개 구역으로 구성됐습니다.

 

SKT는 그린 애비뉴에서 AI 반도체 사피온도 선보였습니다. SKT에 따르면, 이 제품은 데이터를 저전력 고효율로 처리해 기존 GPU 대비 데이터 처리 용량이 약 1.5배에 이릅니다. 이를 통해 전력 소모를 약 80%가 절약됩니다.

 

SKT의 메타버스 플랫폼 ‘이프랜드’도 태블릿 PC를 통해 전시됐습니다. 관람객들은 태블릿으로 메타버스 속 아바타를 움직익나 아바타를 통해 감정을 표현하는 활동을 할 수 있습니다.

 

이 외에도 SK그룹은 SK E&S와 함께 1조 8000억 원을 투자해 합작법인을 설립할 파트너인 미국 플러그파워의 수소연료전지 파워팩 등도 선보였습니다.

 

현재 상용화된 50Kw급 급속 충전기보다 7배 빠르며 차량에 플러그를 꽂기만 해도 사용자 인증, 충전, 결제가 자동으로 이뤄지는 350kW급 초급속 전기차 충전기도 전시했습니다. 멤버십 카드나 신용카드를 소지하고 있지 않아도 자동 충전과 결제가 가능합니다.

 

SK이노베이션은 배터리 생산부터 재사용, 재활용에 이르는 배터리 생애 주기의 솔루션도 제시했습니다. 배터리 사업 자회사인 SK온이 만드는 고성능 하이니켈 NCM9 배터리도 전시됐습니다. 하이니켈 NCM9 배터리는 현존 배터리 중 최고 성능으로, CES 혁신상 2개 부문을 수상했습니다.

 

SK E&S는 수소 생산, 유통, 소비에 이르는 친환경 수소 밸류체인 구축 전략을 소개했습니다.

 

SK하이닉스는 ‘친환경 반도체 생태계를 위한 노력’을 주제로 온실가스와 탄소 배출 저감에 기여할 수 있는 친환경 공정기술인 워터프리 스크러버, 저전력 메모리 반도체인 eSSD와 HBM3, 친환경 생분해성 제품포장 등을 전시했습니다.

 

SK에코플랜트는 친환경 에너지 솔루션을 축소모형 형식으로 구성한 '넷제로 시티'(Net Zero City)를 소개했습니다.

 

SK그룹 관계자는 "그룹 차원에서 전시회 주제를 넷제로(Net-Zero) 이행을 향한 ‘여정’과 ‘동행’을 가리키는 '탄소 없는 삶, 그 길을 당신과 함께 걸어갈 동반자 SK'로 잡았다"며 "탄소 중립을 향한 전사 차원의 협력과 성과를 CES 2022 관람객들에게 보여드리고자 했다"고 말했습니다. 

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이수민 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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