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한화컨소, 서울역 북부 ‘마이스 복합단지’ 본격 시동

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Thursday, March 24, 2022, 13:03:36

서울시, 북부역세권 지구단위계획구역 지정·계획안 수정가결
지상 38층·5개 건물 규모 복합시설 건설..2026년 완공 계획
2019년 한화컨소시엄 시공권 수주

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ13여년을 미뤄왔던 서울역 북부역세권 사업이 본격적으로 추진됩니다. 서울시는 역세권에 최고 38층 규모의 마이스 복합단지를 조성해 도심 활성화를 도모할 계획입니다.

 

서울시는 지난 23일 제4차 도시·건축공동위원회를 통해 중구 봉래동2가 122일대 ‘용산 지구단위계획 및 서울역북부 특별계획구역 세부개발계획’에 대한 지구단위계획구역 지정 및 계획(안)을 수정가결했다고 24일 밝혔습니다.

 

서울역북부 특별계획구역은 서울로7017과 염천교 수제화거리 사이에 있는 면적 2만9093㎡의 부지로, 자재‧물류창고를 제외한 철도부지 대부분이 장기간 활용 없이 방치돼 있어 개발에 대한 필요성이 제기돼 왔습니다.

 

이번 수정가결에 따라 사업지는 일반사업지역으로 용도가 변경됐으며 지하 6층~지상 38층 규모, 총 5개 건물로 이뤄진 연면적 35만㎡, 용적률 799.8%의 전시‧호텔‧판매‧업무 복합시설이 조성됩니다. 서울시는 향후 건축위원회 심의 등 인허가 절차를 거쳐 올해 하반기 건축허가 및 2026년 준공을 목표로 사업을 진행할 예정입니다.

 

특히, ‘국제회의산업 육성에 관한 법률’에 따라 도심·강북권 최초 2000명 이상의 인원을 수용할 수 있는 대회의실 및 30인 이상의 인원을 수용할 수 있는 10개의 중‧소회의실이 조성될 예정입니다. 또, 2000㎡ 이상의 옥내전시면적을 확보하고 있는 시설의 회의장‧전시장을 갖춘 컨벤션 시설도 설계됩니다.

 

역세권사업 시공은 토지 소유주체인 코레일과 주 시공업체인 한화가 맡게 됩니다. 한화는 지난 2019년 한화종합화학, 한화역사 등 자사 계열사와 컨소시엄을 이뤄 삼성물산 컨소시엄, 메리츠종합금융증권 컨소시엄과 수주 경쟁을 펼친 끝에 우선협상자로 선정되며 시공권을 따 낸 바 있습니다.

 

서울시는 개발 사업을 통해 나오는 공공기여금 약 2900억원을 활용해 서울역 일대 공공성을 강화하기 위한 인프라를 확충하고, 서울시 전체 균형발전에도 투자할 계획이라고 설명했습니다.

 

계획에 따르면, 서울역 동서지역과 주변 공공시설을 연결하는 보행 네트워크를 조성해 지역 간 단절 해소를 도모합니다. 또, 공공기여계획에 따라 서울시 장기미집행시설을 우선 집행하며, 소외·낙후된 지역 내 광역철도 건설, 생활체육시설 등을 위한 기금을 조성해 균형개발을 위한 노력을 지속 추진하고 공원녹지 및 편의시설도 확대한다는 목표입니다.

 

최진석 서울시 도시계획국장은 "서울역 북부역세권 개발사업은 국가중앙역이자 유라시아 철도시대 국제관문으로서 서울역의 위상을 재정립하기 위한 첫 걸음"이라며 "도심‧강북권에 처음으로 들어서는 컨벤션 시설을 포함한 고밀복합개발로 침체된 도심에 활력을 불어넣고 지역경제 활성화에도 기여할 수 있도록 최선을 다해 추진하겠다"고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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