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용산기지 31% 반환…정부, 용산공원 조성계획 3차 변경

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Wednesday, August 10, 2022, 12:08:29

부분반환부지 18만㎡→76만4000㎡로 증가
국민의견 수렴 등 변화 여건 반영해 계획 변경

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ미군의 용산기지 반환 부지가 전체 부지의 31%인 76만4000㎡로 늘어남에 따라 정부가 용산공원의 기본 조성방향을 제시하는 종합기본계획 3차 변경안을 마련했습니다.

 

국토교통부는 용산공원 부분반환부지 활용과 관련해 마련한 '용산공원 정비구역 종합기본계획'을 변경·고시했다고 10일 밝혔습니다.

 

용산공원 정비구역 종합기본계획은 미군이 평택으로 기지를 이전함에 따라 반환되는 용산 미군기지를 국가공원으로 조성하기 위한 기본구상 및 조성방향을 담는 계획입니다. 2011년 최초 수립 이후 2014년과 2021년 2차례 변경된 바 있습니다.

 

국토부에 따르면, 이번 3차 변경안은 지난해 12월 2차 계획안 변경 이후 올해 7월 부분반환부지 면적이 18만㎡에서 76만4000㎡로 약 4.2배 증가한 점과, 지난 6월 부지 시범개방 당시 방문한 국민들이 제시한 다양한 의견 등 변화된 여건을 토대로 마련됐습니다. 당시 국민들은 이용시간 확대, 소통공간 마련, 기존시설을 활용한 다양한 테마공간 조성 등을 의견으로 제시한 바 있습니다.

 

변경안은 공청회와 관계기관 협의를 거쳐 수립됐으며 용산공원조성추진위원회 심의를 거쳐 고시가 확정됐습니다.

 

변경된 종합기본계획은 기존 계획의 틀을 유지하면서 반환부지 증가 등의 여건변화에 따른 기본구상 및 과제를 일부 보완한 것이 특징입니다. 부분반환 부지의 경우 한국토지주택공사(LH)를 위탁업무 수행기관으로 지정해 유지·관리계획을 수립하게 하는 등 체계적으로 운영하도록 했습니다.

 

아울러, 부지 내 기존 건축물은 구조안전성, 공간활용계획, 역사적 가치 등을 감안한 활용기준을 마련 후 전문가 자문을 거쳐 활용 방향을 결정하도록 했습니다. 또, 국민들의 안전을 최우선으로 고려해 토양 안전성 분석 및 환경 위해성 저감조치 등을 실시하도록 했습니다.

 

길병우 국토교통부 용산공원조성추진기획단장은 "이번 변경계획은 용산공원을 실제 경험한 국민들의 의견을 기본계획에 반영한 것으로 앞으로도 국민들과 소통하면서 용산공원 조성사업을 차질없이 추진해 나갈 것"이라고 말했습니다.

 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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