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한은, 기준금리 연 0.25%p 인상…“경기 침체 위험 있지만 고물가 고착 막겠다”

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Thursday, August 25, 2022, 11:08:07

한은 금통위, 기준금리 2.25%→2.50%로 조정
물가 상승 압박 지속..한미 금리 격차 고려

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ한국은행 금융통화위원회가 기준금리를 연 0.25%p 올리며 4회 연속 인상을 단행했습니다.

한은 금통위는 25일 오전 서울 중구 한은 본부에서 금통위 정례회의를 열고, 기준금리를 연 2.25%에서 연 2.50%로 0.25%p 인상하기로 결정했습니다. 1999년 기준금리 제도 도입 후 처음으로 4회 연속 기준금리를 올린 것입니다.

앞서 금통위는 4월(1.25%→1.5%)과 5월(1.5%→1.75%)에 기준금리를 0.25%p씩 올린 뒤, 지난달에는 한 번에 기준금리를 0.50%p 올리는 '빅스텝'을 단행했습니다. 당시 금통위는 고물가와 미국 연방준비위원회의 0.75%p 금리인상에 대응해 전례없는 빅스텝을 결정했습니다.

 

금통위는 이번에도 가파른 물가 상승세를 억제하고, 미 연준의 공격적인 금리인상에 따른 한·미 금리역전 현상을 완화하기 위해 금리를 올렸습니다.

 

금통위 관계자는 "국내외 경기 하방위험이 높아졌지만 높은 수준의 물가 상승압력과 기대 인플레이션이 이어지고 있어 고물가 상황 고착을 막기 위한 정책 대응을 지속할 필요가 있다고 판단했다"고 금리 인상 이유를 설명했습니다. 

 

한은에 따르면 국내 소비자물가 상승률은 6월 6.0%로 치솟은 데 이어 7월에는 6.3%까지 올랐습니다. 소비자물가가 2개월 연속 6%를 넘은 것은 국제통화기금(IMF) 구제금융 시절이던 1998년 이후 처음입니다.

 

기대인플레이션율은 지난달 4.7%, 이달 4.3%를 기록하면서 2개월 연속 4%를 상회했습니다. 기대인플레이션율은 임금인상 경로를 통해 물가 상승을 부추기는 요인이기에 한은은 높은 기대인플레이션 확산과 장기화를 방지하는 데 통화정책의 중점을 두었습니다.

 

금통위 관계자는 "앞으로 소비자물가 상승률은 국제유가 하락의 영향으로 낮아질 수 있겠지만 근원물가 오름세가 이어지면서 상당기간 5~6%대의 높은 수준을 지속할 것으로 예상된다"고 말했습니다

 

 

미 연준의 긴축 행보도 금통위가 4회 연속 금리를 올린 배경으로 꼽힙니다. 연준은 지난 6월과 7월에 연속으로 기준금리를 한 번에 0.75%p 올리는 '자이언트 스텝'을 결정했습니다.

 

이에 따라 연준의 정책금리 목표 범위가 2.25~2.50%가 되면서 미국의 기준금리 상단이 우리나라 금리 상단(2.25%)보다 높아지는 한미 금리역전이 발생했습니다. 금통위가 이날 기준금리를 0.25%p 추가 인상하면서 한미 기준금리 수준은 다시 같아졌습니다.

 

금통위는 한·미 금리가 뒤집히면 외국인 자금이 유출되고, 원화 가치가 하락하면서 물가 상승 압력이 더 커질 수 있기에 한국과 미국간 금리 역전폭을 최대한 좁히기 위해 이번에도 추가 금리인상을 결정한 것으로 분석됩니다.

 

향후 통화정책 방향에 대해 금통위 관계자는 "앞으로 중기적 시계에서 물가상승률이 목표수준에서 안정될 수 있도록 하는 한편 금융안정에 유의해 통화정책을 운용할 것이다"며 "국내 경기 하방위험이 커지고 대내외 불확실성이 상존하고 있지만, 물가가 목표수준을 크게 상회하는 높은 오름세를 지속할 것으로 예상된다"고 금리인상을 예고했습니다. 

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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