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SK하이닉스, 우시 확장팹 준공...미세공정 전환용 공간 확보

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Thursday, April 18, 2019, 14:04:00

중국 우시시에서 준공식 열어..기존 C2 확장한 C2F 가동
클린룸 확장에 따른 미세화..추가 공사는 시황에 따라 결정

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ SK하이닉스가 주력 D램공장 확장 공사를 마무리하고 가동에 들어간다.

 

SK하이닉스가 18일 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)에서 메모리 반도체 확장팹(C2F) 준공식을 열었다. ‘새로운 도약, 새로운 미래(芯的飞跃 芯的未来)’를 주제로 열린 행사에는 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 SK하이닉스 임직원과 우시시 관계자들이 참석했다.

 

이번에 준공한 C2F는 기존 D램 생산설비인 C2를 확장한 것이다. SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 확장을 결정했다.

 

SK하이닉스는 2004년 중국 우시시와 현지 공장 설립 계약을 맺고 2006년 D램 생산 공장인 C2를 준공했다. 우시공장은 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 D램 생산의 절반을 담당하는 등 회사 성장에 기여해왔다.

 

하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 미세공정 전환에 필요한 공간이 추가 확보되지 않으면 생산량 감소 등 효율 저하가 불가피하다.

 

이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 올해 4월까지 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산 공간을 확보했다. 미세공정에 필요한 클린룸이 확장돼 생산성과 경쟁력은 유지하면서 D램 산업 내 리더십도 지속 확보가 가능할 것으로 전망된다.

 

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만 8000㎡(1만 7500평·길이 316m·폭 180m·높이51m) 규모 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 일부 클린룸 공사를 마치고 장비를 입고해 생산을 시작했다. 추가적인 클린룸 공사와 장비 입고 시기는 시황에 맞춰 결정할 예정이다.

 

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산∙운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 업계 최초 ‘고방열 모바일 D램’ 공급…“스마트폰 발열 잡는다”

SK하이닉스, 업계 최초 ‘고방열 모바일 D램’ 공급…“스마트폰 발열 잡는다”

2025.08.28 09:13:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 업계 최초로 반도체 후공정 필수 재료인 ‘High-K EMC’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발, 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔습니다. EMC(Epoxy Molding Compound)는 수분·열·충격·전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할을 합니다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도율을 높입니다. SK하이닉스는 “온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며 “이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”고 설명했습니다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(응용 프로세서) 위에 D램을 쌓아 올리는 PoP(Package on Package:적층 패키지) 방식을 적용하고 있습니다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 높이는 장점이 있지만, 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 불러옵니다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력, 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발했습니다. 이를 통해 열전도율을 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰고, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다고 회사 측은 설명했습니다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여해 모바일 업계의 관심과 수요가 높을 것으로 전망됩니다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축하겠다”고 말했습니다.




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