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강진형 서울성모병원 종양내과 교수, 국무총리표창 수상

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Tuesday, December 24, 2019, 14:12:55

보건정책 수립 및 보험재정 건전성 향상에 기여한 공로 인정받아

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ가톨릭대학교 서울성모병원 종양내과의 강진형 교수가 지난 20일 ‘전 국민 건강보험 30주년 및 보장성 강화 유공’ 시상식에서 국무총리표창을 수상했습니다.

 

서울 프레지던트 호텔에서 열린 이번 행사는 보건복지부가 주관하는 것으로, 강진형 교수는 보건정책 수립과 보험재정 건전성 향상에 기여한 공로와 업적을 인정받아 수상하게 됐다고 병원 측은 밝혔습니다.

 

강진형 교수는 지난 2년간 건강보험심사평가원 약제평가위원회(위험분담제 분과) 위원으로 활동했으며, 2019년 면역항암제 후향적 연구, 항암제 가치평가 도구 개발 연구 과제를 수행했습니다.

 

현재 식품의약품약전처 중앙약사심의위원회 위원, 항암제 전략자문단 위원장을 맡고 있으며, 보건복지부 암 정복과제 ‘공익적 다기관 임상연구 인프라구축 사업’의 연구책임자이기도 합니다.

 

강 교수는 앞서 지난 6월에도 항암제 임상연구 발전에 관한 공로를 인정받아 보건복지부장관상을 수상한바 있습니다.

 

폐암·식도암·두경부암·악성흑색종 치료의 권위자로 알려진 강 교수는 국내 최초로 2005·2006년 폐암, 두경부암 다학제 협진팀을 구성했으며, 2015년엔 피부암 다학제 협진팀을 구성해 암 치료 향상을 위해 노력해 왔습니다.

 

또 종양내과 전문의로서 항암제 임상시험에 역점을 두고 지난 20여 년간 200여개의 임상연구를 진행했고, 350여 편의 학술논문을 발표하기도 했습니다.

 

강 교수는 “이렇게 큰 상을 수상하게 돼 보다 무거운 책임감을 느낀다”며 “종양학은 여러 의료 분야 중에서도 가장 빠르게 진화해나가는 학문이니 만큼 앞으로 표적치료제와 면역치료제의 임상연구와 신 치료법 개발, 그리고 NGS(차세대염기서열분석)를 기반으로 하는 정밀의학을 임상현장에 접목시키는데 보다 많은 노력을 기울이겠다”고 수상 소감을 전했습니다.

 

한편, 강진형 교수는 가톨릭대학교 의과대학을 졸업해 내과학 박사, 2018년 고려대학교 경영전문대학원 석사를 취득했습니다.

 

이후 서울성모병원 종양내과 분과장 및 폐암센터장을 역임했으며, 식품의약품안전청 생물학적동등성시험 자문위원, 대한암학회 학술위원회 위원, 대한폐암학회 부회장을 거쳐, 현재 대한항암요법연구회(KCSG) 회장과 대한두경부종양학회 부회장직을 맡고 있습니다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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