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SK하이닉스, 인텔 낸드 인수로 글로벌 2위 도약...“기업가치 100조 목표”

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Tuesday, October 20, 2020, 16:10:57

SK하이닉스, 10조 3000억 투자해 인텔 낸드 사업 인수..국내 기업 최대 규모
삼성전자 이어 낸드 부문도 2위 껑충..이석희 사장 “37년 역사 매우 뜻깊은 날”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK하이닉스가 미국 인텔사의 메모리 사업 부문인 낸드 부문을 인수합니다. 인수 금액은 90억달러(10조 3104억원)으로 M&A 역사상 국내 최대 규모입니다.

 

인수 부문은 인텔의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 사업 부문과 낸드 단품과 웨이퍼 비즈니스, 중국 다롄 생산시설을 포함한 낸드 사업 부문 전체입니다.

 

이석희 SK하이닉스 CEO는 20일 전직원에 ‘D램·낸드 양 날개로 4차 산업혁명의 중심으로 비상합시다’라는 제목의 메시지를 전달했습니다.

 

이 사장은 “오늘 SK하이닉스는 인텔의 낸드 사업 부문을 인수하는 계약을 체결했고, 37년 역사에 기록될 매우 뜻 깊은 날”이라며 “경쟁환경이 녹록치 않은 낸드 사업에서도 D램 사업 만큼 확고한 지위를 확보하기 위해 과감한 결정을 내렸다”고 설명했습니다.

 

앞서 인텔은 미중 무역분쟁 전부터 메모리 사업에서 구조조정을 진행해왔습니다. 지난 2018년 메모리 반도체 파트너사였던 마이크론과 결별을 선언한 이후, 먼저 낸드 플래시에서 협력을 중단했습니다. 같은해 7월 마이크론과 3D 크로스 포인트 관련 협력을 중단하고, 각자도생의 길을 선택했습니다.

 

인텔의 메모리 사업 축소 이유로 (낸드 부문) 지속적인 손실과 미중 무역 분쟁이 꼽히고 있습니다. 인텔 입장에서는 낸드 사업을 유지하는 것보다 원천 기술을 보유한 옵테인(Optane, (3D 크로스 포인트 구조 제품의 대고객 브랜드명)에 집중하는 것이 나을 수 있다는 판단입니다.

 

SK하이닉스는 낸드 부문(글로벌 5위)에 뒤늦게 뛰어들어 D램(글로벌 2위)과 비교해 다소 부진한 성적을 거두고 있습니다. 이석희 사장도 낸드 사업의 후발주자로 약점을 극복하기 어려웠다고 인정했습니다.

 

시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 말 기준 낸드시장 점유율은 삼성이 35.9%로 1위이며 SK하이닉스가 9.9%, 인텔이 9.5%를 차지하고 있습니다.

 

SK하이닉스가 인텔을 인수할 경우 낸드시장 점유율은 약 20%에 달하게 돼 키옥시아(19%)를 제치고 삼성에 이어 글로벌 2위 자리로 도약합니다.

 

이 사장은 “글로벌 반도체 1위 기업인 인텔은 특히 SSD에서 괄목할 만한 성과를 보여주고 있다”며 “향후 인텔의 기술과 생산능력을 접목해 SSD 등 고부가가치 솔루션 경쟁력을 강화한다면 SK 하이닉스는 빅데이터 시대를 맞아 급성장하고 있는 낸드 사업에서 D램 못지 않은 지위를 확보하게 될 것”이라고 말했습니다.

 

일각에서는 SK하이닉스가 인텔 낸드 사업부문 인수 후 흑자전환까지 시간이 필요할 것이란 전망입니다. 단기간 수익을 기대하기 어려운 낸드 사업에 10조원을 투자한다는 것 자체가 부담이라는 시각도 있습니다.

 

하지만 향후 SK하이닉스가 낸드 사업에서 과잉투자가 줄어들어 장기적으로 안정화될 수 있다는 점은 긍정적입니다. 이승우 유진투자증권 연구원은 “(이번 딜은)그 동안 최대 약점으로 거론돼 왔던 eSSD 분야에서 삼성의 뒤를 잇는 새로운 강자로 부상할 기회를 잡게될 것”이라고 말했습니다.

 

SK하이닉스는 향후 기업가치를 100조원으로 끌어올리겠다는 계획입니다. 이석희 사장은 “우리는 기업가치 100조원 달성에 한걸음 더 다가서는 새로운 전환점을 맞이하게 됐다”며 “안정적인 성과를 내고 있는 D램 사업 만큼 낸드 사업이 성장한다면, 기업가치 100조원이라는 목표 달성은 반드시 앞당겨질 것”이라고 강조했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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