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삼성, ‘2020 애뉴얼 포럼’ 열어...기초과학·소재·ICT 연구 성과 공유

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Friday, November 20, 2020, 13:11:37

연구책임자∙심사위원 등 500여명 온라인으로 참석..연구 과제 발표·토론 진행
수리과학∙물리∙화학∙생명과학반도체∙디스플레이컴퓨팅∙로봇 등 연구 분야

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자는 삼성미래기술육성사업을 통해 지원하는 연구진들이 서로 성과를 공유하고 토론을 통해 아이디어를 교환하는 ‘2020 애뉴얼 포럼’을 열었습니다.

 

20일 삼성전자에 따르면 이번 ‘2020 애뉴얼 포럼’은 코로나19 상황을 감안해 20일부터 27일까지 온라인으로 진행됩니다. 애뉴얼 포럼은 삼성미래기술육성사업의 연구책임자가 연구 성과와 주요 이슈를 설명하고, 참석 연구자들과 토론을 통해 새로운 아이디어를 얻는 자리로 2014년부터 진행하고 있습니다.

 

이번 '애뉴얼 포럼'에는 ▲ 수리과학∙물리∙화학∙생명과학 등 기초과학 연구 분야 ▲ 반도체∙디스플레이∙바이오∙에너지∙환경 등 소재 연구 분야 ▲ 컴퓨팅∙로봇∙기계학습∙헬스케어∙세포연구∙광학 등 ICT 연구 분야의 연구책임자, 심사위원 등 500여명이 참석해 총 85개 과제에 대한 연구 교류를 진행합니다.

 

첫날 포럼에서는 기초과학 분야 24개 연구 과제에 대해 연구책임자의 발표와 참석 연구자, 심사위원들의 토론이 이어졌습니다. 김성근 삼성미래기술육성재단 이사장은 영상으로 송출된 환영사에서 “순수한 배움의 문화가 꽃피는 자리인 애뉴얼 포럼이 치열한 토론과 아이디어 교환을 통해 연구자 스스로가 더욱 발전하는 계기가 되기를 희망한다”고 말했습니다.

 

수리과학 분야에서 첫 번째 발표자로 나선 고등과학원 수학부 오성진 교수는 일반상대성 이론에 대한 비선형쌍곡방정식 연구로부터 도출된 아이디어를 플라즈마 상태의 홀-자기유체역학 분야에 적용한 결과를 소개했습니다.

 

또한, 화학 분야 발표자인 서울대학교 화학부 이동환 교수는 자기조립을 통해 1차원 기둥 모양의 나노와이어 구조가 만들어지는 원리를 설명하고, 구조와 나노와이어를 통한 에너지 전달 등 기능 사이의 상관 관계에 대한 최신 연구 결과를 공유했습니다.

 

삼성전자 미래기술육성센터 음두찬 센터장은 “반도체∙에너지∙인공지능∙로봇∙환경 등 광범위한 분야에서 연구 성과를 축적하고 있는 참여 연구자들에게 감사를 표현다”며 “차곡차곡 쌓이고 있는 삼성미래기술육성사업의 연구 성과가 향후 우리 사회가 맞닥뜨리게 될 다양한 문제를 해결하는 기반이 될 것으로 기대한다”고 언급했습니다.

 

삼성미래기술육성사업은 우리나라의 미래를 책임지는 과학 기술 육성을 목표로 2013년부터 1조 5000억원을 출연해 시행하고 있는 연구 지원 공익 사업입니다.

 

지금까지 총 634건의 연구과제에 8125억원의 연구비가 지원됐습니다. 한편, 삼성전자는 CSR 비전 ‘함께가요 미래로! Enabling People’ 아래 삼성미래기술육성사업, 스마트공장, C랩 아웃사이드, 협력회사 상생펀드 등 상생 활동과 청소년 교육 사회공헌 활동을 진행하고 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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