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지놈앤컴퍼니, 삼성바이오와 신규타깃 면역관문억제제 위탁개발 계약

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Wednesday, December 09, 2020, 10:12:11

지노믹스 기반 신규타깃 항체연구(GENA-104) 글로벌 임상개발 ‘가시화’
면역항암 항체 파이프라인 2023년 1분기 임상시험계획(IND) 신청예정

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ지놈앤컴퍼니(대표 배지수∙박한수)가 8일 삼성바이오로직스와 신규타깃 면역관문억제제 위탁개발(CDO) 계약을 체결했습니다. 이후 지놈앤컴퍼니는 본격적으로 면역항암 항체 파이프라인 연구개발에 박차를 가할 예정입니다.

 

이번 계약을 통해 삼성바이오로직스는 지놈앤컴퍼니에 항체 신규타깃 면역관문억제제(GENA-104)의 세포주 개발에서부터 공정개발, 시료 생산에 이르는 위탁개발(CDO) 전 과정의 서비스를 제공합니다.

 

지놈앤컴퍼니 신규타깃 면역관문억제제는 연구중심병원 협업 하에 환자들의 질환정보 데이터베이스를 활용해 기존의 많이 알려진 타깃(anti-PD-1, anti-PD-L1 anti-CTLA-4)이 아닌 신규타깃을 발굴합니다.

 

지놈앤컴퍼니는 실제 PD-1 계열 면역항암제를 투여 받은 환자의 종양샘플과 임상 정보를 기반으로 신규 타깃을 발굴하고 검증하는 임상기반의 연구를 진행해 실패가능성을 낮췄다고 설명했습니다.

 

현재 면역항암제 불응 환자를 위한 항암제 시장에서 차세대 면역관문억제제의 필요성은 꾸준히 증가해왔는데요. 폐암 또는 흑색종과 같은 일부 암 종을 제외하고 대부분의 암은 여전히 면역관문억제제에 반응을 나타내지 않기 때문에 시장성도 큽니다. 글로벌리서치 업체 글로벌데이터 2020년 3월 리포트에 따르면 면역관문억제제 시장은 지난해 기준 239.2억 달러의 수익을 기록했으며, 2025년에는 543.9억 달러까지 성장할 전망입니다.

 

박한수 지놈앤컴퍼니 대표는 “종양 유전체 기반의 면역항암 항체 치료제 개발 분야는 오랜 기간 자사가 준비해 온 분야로 글로벌제약 회사에서도 라이선스인과 M&A를 위한 최우선 아이템으로 꼽힌다”며 “GENA-104의 경우 선도물질 수준에서도 동물모델에 단독 투여 시 우수한 항암효과를 확인한 바 있는 만큼 자사의 우수한 연구개발역량으로 글로벌 혁신신약의 결과를 만들어 낼 것”이라고 말했습니다.

 

한편, 지놈앤컴퍼니는 작년 10월 BIO-EU에서 본격적으로 신규타깃을 소개하고 올해 초 북경한미약품 연구소장과 한미약품 글로벌 BD 이사를 역임한 차미영 소장을 지놈앤컴퍼니 신약연구소장으로 영입하며 항체 신약 파이프라인 연구개발에 힘을 실은 바 있습니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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