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코로나19 신규확진자 689명…3차 대유행 후 최다

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Friday, December 11, 2020, 10:12:52

지역 673명·해외 16명..경기지역 연일 최다 기록

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ코로나19 3차 대유행의 확산세가 꺾일 기미를 보이지 않으면서 11일 신규 확진자 수가 689명으로 집계됐습니다. 이는 3차 유행 이후 가장 많은 확진자 수입니다.

 

정부가 사회적 거리두기 단계를 격상하는 동시에 수도권의 잠복 감염을 조기에 찾아내기 위해 오는 14일부터 임시 선별진료소 150여 곳을 추가로 설치하는 등 다각도의 대책을 마련 중이지만 당분간은 확산세가 더 이어질 것으로 보입니다.

 

중앙방역대책본부는 이날 0시 기준 코로나19 신규 확진자가 689명 늘어 누적 4만 786명이라고 밝혔습니다. 전날 (682명)보다 7명 늘었습니다. 689명은 대구·경북 중심의 '1차 대유행' 정점(2월 29일, 909명) 이후 286일 만에 최다 기록이자 역대 두 번째 규모입니다. '3차 대유행'이 본격화한 이후로도 가장 많은 숫자입니다.

 

지난달 28일부터 오늘까지 2주간 신규 확진자는 일별로 503명→450명→438명→451명→511명→540명→628명→577명→631명→615명→592명→670명→682명→689명 등으로 최근 들어 증가세가 더 가팔라지고 있습니다. 100명 이상 세 자릿수는 지난달 8일부터 오늘까지 34일째 계속되고 있습니다.

 

오늘 신규 확진자의 감염 경로를 보면 지역 발생이 673명, 해외 유입이 16명입니다.

 

지역 발생 확진자는 전날(646명)보다 27명 늘어나며 3월 2일(684명) 이후 가장 많았습니다.확진자가 나온 지역을 보면 서울 250명, 경기 225명, 인천 37명 등 수도권만 512명에 달했습니다. 특히 경기는 이달 초부터 연일 최다 기록을 경신하고 있습니다.

 

수도권 이외 지역에서는 울산 47명, 부산 26명, 충북 20명, 경남 12명, 강원 11명, 충남 9명, 대전 8명, 전북 7명, 대구 6명, 제주 5명, 전남 4명, 광주·경북 각 3명입니다.

 

해외유입 확진자는 16명으로, 전날(36명)보다 20명 줄었습니다. 확진자 가운데 7명은 공항이나 항만 검역 과정에서 확인됐습니다. 나머지 9명은 경기(4명), 서울·대전(각 2명), 충남(1명) 지역 거주지나 임시생활시설에서 자가격리하던 중 확진됐습니다.

 

이들의 유입 추정 국가는 미국 4명, 인도네시아 3명, 우크라이나·나이지리아·말라위 각 2명, 필리핀·러시아·영국 각 1명으로, 확진자 가운데 내국인이 5명, 외국인이 11명입니다.

 

사망자는 전날보다 8명 늘어 누적 572명이 됐으며, 국내 평균 치명률은 1.40%입니다.

 

상태가 악화한 위중증 환자는 전날보다 3명 줄어든 169명입니다. 이날까지 격리해제된 확진자는 520명 늘어 누적 3만 1157명입니다. 현재 격리치료 중인 환자는 161명 늘어 총 9057명입니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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