검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Electronics 전기/전자

SK-오픈AI, 메모리·AI DC 초대형 합작…K-AI 구축 가속화

URL복사

Wednesday, October 01, 2025, 20:10:20

최태원 회장-샘 올트먼 CEO 1일 메모리 공급 협약서·서남권 AI DC 설립 MOU
SK하이닉스, ‘스타게이트’에 월 최대 웨이퍼 90만장 규모 HBM 공급 파트너로 참여
SKT, ‘서남권 AI DC’ 개발·건설·운영 공동 추진… 대한민국 동서 잇는 AI벨트 구축
글로벌 빅테크 파트너십으로 혁신 성과 창출·한미 AI 경제 동맹 강화

 

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK그룹이 오픈AI와 메모리반도체 공급과 서남권 인공지능(AI) 데이터센터(DC) 설립·운영 등에 관한 파트너십을 맺고 글로벌 AI 인프라 구축에 본격 참여합니다.

 

반도체 공급부터 데이터센터 설계·운영, AI 서비스 확산까지 아우르는 전방위 협력을 통해 차세대 AI 인프라 혁신을 이끈다는 전략입니다.

 

SK그룹은 최태원 회장과 샘 올트먼 오픈AI 최고경영자(CEO) 등 양사 경영진들이 1일 서울 종로구 SK서린빌딩에서 만나 메모리 공급 의향서(LOI)와 서남권 AI DC 협력에 관한 양해각서(MOU)를 체결했다고 밝혔습니다.

 

최태원 회장은 이번 협력에 대해 “글로벌 AI 인프라 구축을 위한 스타게이트 프로젝트에 SK가 핵심 파트너로 참여하게 됐다”며 “메모리반도체부터 데이터센터까지 아우르는 SK의 통합 AI 인프라 역량을 이번 파트너십에 집중해 글로벌 AI 인프라 혁신과 대한민국의 국가 AI 경쟁력 강화에 적극 나설 것”이라고 말했습니다.

 

SK하이닉스, 월 90만장 웨이퍼 소요되는 오픈AI 반도체 수요 대응

 

SK하이닉스는 스타게이트 프로젝트에서 고대역폭메모리(HBM) 반도체 공급 파트너로 참여합니다. 이번 메모리 공급 의향서 체결은 올해 상반기 기준 D램 글로벌 매출 1위인 SK하이닉스의 AI 전용 메모리반도체 기술력과 공급 역량을 인정받은 결과라고 SK는 설명했습니다.

 

이에 SK하이닉스는 D램 웨이퍼 기준 월 최대 90만장 규모의 HBM 공급 요청에 적기 대응할 수 있는 생산 체제를 구축할 예정입니다. 오픈AI의 HBM 공급 요청은 웨이퍼 기준으로 현재 전세계 HBM 생산 능력의 2배가 넘는 수준입니다.

 

SK하이닉스는 이번 협력을 통해 오픈AI의 AI 가속기(GPU) 확보 전략 실현을 적극 협력하고, 양사 간 협업 역시 지속 확장키로 했습니다.

 

SKT, 서남권에 ‘한국형 스타게이트’…K-AI 구축 드라이브

 

SK텔레콤은 대규모 DC구축·운영 경험을 바탕으로 오픈AI와 양해각서(MOU)를 체결, 한국 서남권에 오픈AI 전용 AI DC를 공동 구축해 ‘한국형 스타게이트’를 실현한다는 계획입니다.

 

양사 협력은 AI 데이터센터를 기반으로 B2C·B2B AI 활용 사례를 발굴하고, 나아가 차세대 컴퓨팅과 데이터센터 솔루션의 시범 운용까지 포함합니다. 한국은 세계 최고 수준의 통신·전력인프라와 반도체 기술, 풍부한 AI 수요를 바탕으로 글로벌 AI 혁신의 테스트 베드 역할을 합니다.

 

SK 관계자는 “AI DC 협력은 SK그룹과 글로벌 1위 AI 기업인 오픈 AI가 대한민국 AI 대전환을 위한 강력한 파트너십을 구축했다는 점에서 의미가 있다”며 “서남권 AI DC는 아시아 지역 AI DC 허브로 자리매김해 지속가능한 협력을 이끌어내는 기반이 될 것이고 SK그룹이 추진 중인 ‘SK AI 데이터센터 울산’과 함께 동서를 연결하는 AI 벨트를 구축해 지역 균형발전에 기여하고 대한민국 전역의 AI 대전환을 가속화할 것”이라고 말했습니다.

 

 

한미 AI 경제 동맹 발판 기대…“AI 3대 강국 디딤돌 될 것”

 

SK그룹은 이번 스타게이트 프로젝트 참여는 한미 간 AI 경제동맹을 공고히 하는 계기가 될 것으로 평가하고 있습니다. 제조와 통신 영역에서 강점을 가진 대한민국과 AI 기술의 선두 주자인 미국 간의 협력모델이 상호 보완 및 글로벌 AI 리더십 동맹의 출발점이 될 것으로 기대하고 있습니다.

 

최태원 회장과 샘 올트먼 CEO는 2023년부터 긴밀히 협력하며 AI 인프라의 미래를 함께 설계했습니다. 양측은 AI 학습과 추론에 필요한 워크로드 폭증에 대비해 전용 반도체 개발과 인프라 구축의 필요성에 깊이 공감하며, 하드웨어 병목 없는 차세대 AI 모델 개발을 위한 새로운 메모리-컴퓨팅 아키텍처 등 혁신적 AI 인프라 공동 개발을 논의해 왔습니다.

 

이번 파트너십 체결은 칩 개발부터 데이터센터 구축·운영까지 전 주기에 걸친 기술 혁신 협력의 본격적 출발점으로, 글로벌 AI 생태계에 새로운 패러다임을 제시할 것으로 SK는 기대하고 있습니다.

 

SK그룹은 AI를 새로운 성장축으로 삼아 사업 포트폴리오를 혁신 중이며, 올해 8월 아마존웹서비스(AWS)와 함께 ‘SK AI 데이터센터 울산’ 기공식을 여는 등 글로벌 빅테크와 협력을 강화하고 있습니다.

 

SK 관계자는 “글로벌 AI 대전환 시기를 맞아 핵심 플레이어로서 시장 참여를 확대할 수 있도록 빅테크 협력과 관련 투자를 지속적으로 강화하고. K-AI 생태계 확장에도 기여하겠다”고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

이종현 기자 flopig2001@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




배너