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[인사] NH투자증권

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Tuesday, December 22, 2020, 11:12:25

 

인더뉴스 이진솔 기자 | ▲NH투자증권

 

◇신규선임

 

<센터장>

 

▶방배WM센터 김대현 ▶북수원WM센터 윤철복 ▶인천WM센터 임정현 ▶춘천WM센터 조정구 ▶구미WM센터 이진우 ▶대구WM센터 박준희 ▶부산금융센터 WM2센터 배윤수 ▶포항WM센터 권승혁 ▶당진WM센터 김용규 ▶수완WM센터 민유선 ▶NH금융PLUS 광화문금융센터 PB2센터 이혜정 ▶NH금융PLUS 광화문금융센터 PB3센터 이혁준 ▶명동WM센터 이성운 ▶삼성동금융센터 PB2센터 김성률 ▶삼성동금융센터 PB3센터 홍만기 ▶삼성동금융센터 PB4센터 공수진 ▶영업부법인센터 강환구

 

<부장>

 

▶PB서비스기획부 김정남 ▶연금영업1부 김태우 ▶Digital서비스부 이원경 ▶Digital플랫폼부 김세훈 ▶고객솔루션개발부 전태희 ▶IB영업기획부 조영욱 ▶신기술금융투자부 김의경 ▶IB Credit지원부 김기태 ▶Private Equity2부 문태곤 ▶운용기획부 김수영 ▶대차영업부 강대원 ▶투자자산관리부 최정호 ▶상품기획부 전동현 ▶Global투자정보부 이주호 ▶Global사업기획부 신남 ▶인사부 박준형 ▶결제업무부 황인찬 ▶인프라운영부 전호승 ▶투자전략부 김병연

 

<법인장>

 

▶인도네시아현지법인 정요안

 

<소장>

 

▶100세시대연구소 김진웅 ▶상해사무소 이준영

 

◇전보

 

<센터장>

 

▶강남대로WM센터 심혁 ▶건대역WM센터 강대철 ▶과천WM센터 정혜란 ▶신사WM센터 한창훈 ▶잠실금융센터 WM2센터 최해열 ▶판교WM센터 이종렬 ▶구로WM센터 전상재 ▶목동WM센터 김동운 ▶미아WM센터 최영길 ▶상계WM센터 조영순 ▶안산WM센터 김덕희 ▶NH금융PLUS 영업부금융센터 WM1센터 성종윤 ▶NH금융PLUS 영업부금융센터 WM2센터 장경태 ▶원주WM센터 권남헌 ▶의정부WM센터 오규택 ▶NH금융PLUS 일산WM센터 이선령 ▶제주WM센터 오형석 ▶NH금융PLUS 평촌금융WM센터 WM1센터 안소정 ▶NH금융PLUS 평촌금융WM센터 WM2센터 부상훈 ▶홍제WM센터 김형곤 ▶두류WM센터 이수영 ▶범어동WM센터 이재열 ▶창원WM센터 김순규 ▶광주WM센터 김창수 ▶대전금융센터 WM1센터 문익주 ▶목포WM센터 유희경 ▶상무WM센터 전민경 ▶전주WM센터 이용철 ▶평택WM센터 라윤호 ▶Premier Blue 강남센터 이성진 ▶골드넛WM센터 이정숙 ▶NH금융PLUS 광화문금융센터 PB1센터 전혜원 ▶삼성동금융센터 PB1센터 성현정 ▶강남법인센터 이재호 ▶강북법인센터 문종석 ▶OCIO솔루션센터 나홍섭 ▶빅데이터센터 정훈

 

<부장>

 

▶업무지원부 김지택 ▶Equity솔루션부 김길환 ▶멀티상품솔루션부 이원규 ▶Global Equity Sales부 조진오 ▶DT기획부 박기춘 ▶업무개발부 전달래 ▶IT기획부 정진호 ▶업무시스템부 김주환 ▶매체시스템부 박균배 ▶정보시스템부 맹정호 ▶컴플라이언스부 박양구

 

<법인장>

 

▶베트남현지법인 김종석

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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