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NH투자증권, 모든 임원 국내 상장주식 매매 금지한다

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Tuesday, November 04, 2025, 17:11:06

임원 미공개정보 사적활용 조사에 내부통제강화TFT 결정
6일부터 국내주식 매수 금지..“윤리경영으로 전환점 삼을 것”

 

인더뉴스 박호식 기자ㅣNH투자증권(대표이사 윤병운)이 모든 임원의 국내 상장주식 매매를 전면 금지하기로 4일 결정했습니다. NH투자증권 내부통제강화 태스크포스팀(TFT)는 내부통제, 윤리경영 강화 차원에서 이같은 결정을 했다고 밝혔습니다.

 

내부통제강화 TFT는 최근 임원의 미공개정보 사적활용 혐의 조사와 관련해 임원 스스로 성찰하는 모습을 통해 윤리경영시스템을 강화한다는 계획입니다. 매수 금지 대상은 국내 상장주식으로, 해외주식과 ETF 등은 매수 가능하며 기존 주식의 매도는 가능합니다. 이번 결정은 경영진과 주요 의사결정자의 책임과 투명성을 강화하기 위함으로, 선제적 리스크 차단과 회사의 법적평〮판 리스크를 예방하고자 전격 시행한다는 설명입니다. 해당 매매제한은 오는 6일부터 실시합니다.

 

윤병운 사장은 “임원들이 먼저 모범을 보이고 윤리경영의 내재화를 통해 이번 위기를 전화위복의 기회로 삼겠다”며 “윤리경영으로의 근본적 전환점으로 삼고 앞으로도 NH투자증권의 모든 구성원이 새로운 각오로 임하겠다”고 밝혔습니다.

 

NH투자증권은 같은날 오전 열린 전체 임원회의에서는 경영진 및 임원 50여명이 참석해 이번 사건에 대해서 심각성을 공유하고 책임감을 느끼는 시간도 가졌다고 전했습니다. 임직원 윤리의식 제고 및 준법경영 강화 등 윤리경영 내재화를 다짐하고, 바른 윤리의식과 책임감있는 행동의 중요성을 인지하며, 투명한 자본시장 구현을 앞장설 것을 결의했습니다.

 

한편 NH투자증권은 지난 10월30일 합동대응단에서 조사중인 임원을 담당 직무에서 배제하고, 내부통제강화 TFT를 신설했습니다. 윤병운 사장을 TFT 장으로, 준법, 감사 등 관련 임원들로 구성된 내부통제 강화시스템 구축 전담 TFT를 새롭게 조직해 내부통제 강화시스템을 강화를 선언한 바 있습니다.

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박호식 기자 hspark@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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