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진옥동 신한은행장 “2021년, 피보팅 전략으로 새로운 기회 모색하자”

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Wednesday, January 06, 2021, 10:01:02

신한은행, 1분기 임원·본부장 워크숍 실시..디지털·유연함 강조
올해 전략목표, ‘고객·미래 금융의 기준, 一流로의 도약’ 제시

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ“‘피보팅’ 처럼 금융의 본원적 경쟁력을 기본 축으로 삼고 ‘가설 설정-실행-수정’의 과정을 반복해 유연한 전략으로 새로운 기회를 모색해 나가야 한다.”

 

진옥동 신한은행장은 지난 5일 서울 중구 소재 본점에서 열린 ‘1분기 임원, 본부장 워크숍’에서 ‘트렌드코리아 2021’의 ‘거침없이 피보팅하라’를 소개하며 이와 같이 말했습니다. 금융의 기본은 바로 잡되 유연한 전략으로 기회를 만들어야 한다는 겁니다.

 

진 행장은 이 자리에서 “끊임없이 변하는 시장을 상대하려면 혁신금융서비스 배달앱·넥슨과의 제휴처럼 전통적인 금융만을 고집해서는 안 된다”며 “한 쪽 다리는 축으로 고정하고 다른 쪽 다리로 회전하며 다음 움직임으로 준비하는 ‘피보팅’ 전략이 필요하다”고 강조했습니다.

 

진 은행장은 고객중심을 추구하기 위해 지난해 도입한 ‘같이성장평가’와 그동안 강조해왔던 ‘과정의 정당성’과 ‘신의성실’을 다시 한 번 언급했습니다. 2021년도의 전략목표인 ‘고객중심! 미래 금융의 기준, 一流로의 도약’도 설명했습니다.

 

그는 “2021년에는 고객중심 가치를 위한 추진력을 높여 진정한 변화를 이루고자 한다”며 “소통을 통한 빠른 의사결정과 각 사업 영역 간 긴밀한 협력이 필요하며 리더의 역할이 매우 중요하다”고 말했습니다.

 

‘디지털 리터러시’의 중요성도 강조했습니다. 디지털데이터, 위기관리, 민첩한 변화, 집단 창조력 등 디지털 리터러시를 갖추지 못하면 도태될 수 밖에 없는 환경을 언급하며 변화의 판을 만드는 것이 중요한 시점이라고 설명했습니다.

 

아울러 미래 금융과 지속 가능한 같이 성장을 위한 변화에도 주목했습니다. 변화의 기준으로는 고객중심과 미래금융을 꼽았습니다.

 

진 은행장은 “‘고객을 위한 것인가’, ‘미래를 위한 것인가’라는 두 가지 질문에 자신있게 대답할 수 있다면 실패도 혁신의 과정으로 인정받아 마땅하다”며 “과거 큰 성공을 거둔 방식이라 하더라도 기준에 어긋난다면 원점에서 다시 검토할 것이다”라고 설명했습니다.

 

마지막으로 진 은행장은 “코로나19 등 여러 변수들이 어떻게 작용할지 모르는 2021년에도 우보만리(牛步萬里)처럼 우직하게 걸어나간다면 잘 해낼 수 있으리라 믿는다”고 임직원을 격려했습니다.

 

한편, 이번 워크숍은 신종코로나바이러스 감염증(코로나19) 확산이 지속되는 상황임을 감안해 스마트 화상회의 방식으로 진행됐습니다. 큰 주제는 ‘일류 도약을 위한 신한의 킹핀(King Pin)은 무엇인가’로, 아젠다를 구체화하고 사업방안을 토론하는 프로그램으로 구성됐습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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