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알테오젠, 인간 히알루로니다아제 추가 특허 PCT 출원

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Monday, January 25, 2021, 11:01:31

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ알테오젠(대표 박순재)은 기존의 인간 히알루로니다아제 특허에 대한 범위를 확장하는 인간 히알루로니다아제 ALT-B4 집단에 대한 권리 특허를 PCT 출원하였다고 25일 밝혔다.

 

이는 기존 인간 히알루로니다아제에 대한 독점적인 권리를 확고히 하고 히알루로니다아제의 추가적인 특허 PCT를 출원한 것이다.

 

인간 히알루로니다아제의 추가 특허는 200여개의 다양한 히알루로니다아제 집단에 대한 실험 자료와 효소 활성에 대한 차별성 자료를 하여 권리에 대한 확장 특허이다.

 

앞서 알테오젠은 2018년 원천기술인 Hybrozyme의 기술을 이용하여 정맥주사용 항체 및 바이오의약품을 피하주사용 의약품으로 대체할 수 있는 신규의 인간 히알루로니다아제의 재조합 단백질을 전 세계 두번째로 개발하였다. 지난 2019년에 인간 히알루로니다아제를 유방암 및 위암 치료제인 허셉틴에 적용한 허셉틴 SC 제형 특허를 출원했다.

 

알테오젠 관계자는 “원천 기술의 특허는 매우 중요하기 때문에 이러한 기술의 특허를 유지하기 위해서는 지속적으로 관련기술 특허를 등록해야만 한다”고 지속적인 기술개발의 중요성을 강조했다.

 

이어 “이번에 출원한 특허 기술은 히알루론산 가수분해 효소인 인간 히알루로니다아제 집단들로서 기존 특허의 독점적인 권리를 유지하면서 이후 경쟁사들의 히알루로니다아제 개발에 대한 진입을 원천적으로 봉쇄할 수 있다”고 설명했다.

 

이에 따라 “히알루로니다아제의 기술 3개의 히알루로니다아제의 기술이전 한 것에 이외에 올해 추가적인 몇 개의 글로벌 제약회사에 기술이전이 예상된다”고 밝혔다.

 

한편 알테오젠은 정맥주사를 피하주사로 바꾸어 주는 인간 히알루로니다아제의 원천기술에 대하여 지난 2019년 글로벌 10대 제약사에 1.6조 규모와 작년 다른 글로벌 10대 제약사에 4.7조 규모 기술 수출을 완료했고 올해 1분기에는 최대 매출액의 두자리 숫자로 받을 수 있는 로얄티 베이스의 기술 수출을 완료했다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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