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[코스피 마감] 美 부양책 지연 우려에 외국인·기관 대량 매도…2%대 급락

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Tuesday, January 26, 2021, 16:01:35

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ미국 부양책 통과가 지연될 수 있다는 우려에 코스피가 2% 넘게 급락했다. 외국인과 기관의 거센 매도세에 시가총액 상위주들이 줄줄이 급락했다.

 

26일 코스피 지수는 전 거래일보다 68.68포인트(2.14%) 하락한 3140.31에 장을 마쳤다. 약보합권에서 출발한 지수는 시간이 갈수록 하락폭을 키워나갔다.

 

미국 공화당은 1조 9000억 달러(약 2000조원) 규모의 경기 부양책 규모가 지나치다며 반대에 나선 상태다. 일부 미국 매체는 부양책 통과가 3월까지 지연될 수 있다는 전망을 내놓고 있다.

 

신한금융투자는 "부양책 통과 지연과 백신 보급 차질 우려 등이 반영되며 코스피가 급락했다"며 "주요 기업 실적들이 시즌에 돌입하면서 4분기 실적 전망에 따른 주가 차별화화도 뚜렷했다"고 분석했다.

 

투자주체별로는 외국인과 기관이 각각 1조 9753억원, 2조 2500억원 가량을 순매도했다. 반면 개인이 홀로 4조 2214억원 가량을 순매수했다.

 

업종별로는 의약품의 0.43% 상승세를 제외하곤 일제히 하락했다. 운수장비가 2.85%, 통신업이 2.83, 전기·전자 2.79%, 건설업 2.48%, 유통업 2.44%, 철강·금속 2.43%, 금융업 2.32%, 제조업이 2.15% 하락했다.

 

시가총액 상위 10곳은 대체로 하락세였다. 삼성바이오로직스 1.52%, 셀트리온의 0.47%의 상승을 제외하곤 일제히 하락했다. 삼성전자가 3.02%, 삼성전자우가 1.39% 하락했고, SK하이닉스가 4.44% 급락했다. LG화학 또한 3.54% 큰 폭으로 하락했으며 네이버가 2.01%, 현대차가 3.27% 내렸다. 카카오는 2.64% 하락했다. 삼성SDI는 보합으로 장을 마감했다.

 

개별종목 가운데는 현대비앤지스틸우와 현대비앤지스틸이 나란히 가격제한폭까지 치솟았다. 또한 풍산홀딩스가 21.3% 급등했고 금호석유우와 금호석유 역시 약 12% 넘게 급등했다. 또한 삼성SDI우와 흥국화재가 약 11% 이상 올랐다.

 

이날 코스닥 지수 또한 전날 대비 5.30포인트(0.53%) 내린 994.00을 기록하며 장을 마감했다. 셀트리온헬스케어와 셀트리온제약이 선방했지만 그 외 시총 상위주들은 대체로 하락했다.

 

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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