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신한금융, 3.4조원 최대순익 달성에도...리딩금융 타이틀 수성 실패

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Friday, February 05, 2021, 16:02:13

작년 순이익 3조 4146억원 기록..전년比 0.3% 증가
‘3조 4552억원’KB금융에 리딩금융 자리 내줘

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ신한금융지주회사(회장 조용병)는 5일 실적발표를 통해 그룹의 2020년 순이익이 3조 4146억원, 4분기 순이익이 4644억원 이라고 밝혔습니다. 대출 성장세·비은행 부문이 역대 최대 실적을 이끌었지만, 충당금 영향으로 리딩금융 수성엔 실패했습니다.

 

신한금융은 지난해 당기순이익이 전년대비 0.3% 증가해 7년 연속 순이익 증가를 달성했습니다. 신한금융은 이번 실적의 주요 특징으로 일관된 중장기 전략 실행에 기반한 안정적인 경상 수익 창출이 지속됐다고 평가했습니다.

 

신한금융 관계자는“은행 부문은 시장금리 영향으로 순이자마진(NIM)이 하락했지만 비은행 부문의 약진, 신한만의 매트릭스 조직인 글로벌, IB 등에서 지속적인 성장을 달성했다”고 말했습니다.

 

이자 이익은 8조 1551억원으로 전년 대비 1.9% 늘었고, 바이자 이익은 3조 3778억원으로 7.9% 증가했습니다. 저금리 여파 속에서도 견고한 자산 성장을 이어갔고 IB(투자은행)·GMS(글로벌고유자산운용) 비이자 부문과 카드·캐피탈 등 비은행 부문의 성장이 호실적을 이끌었습니다.

 

다만 대규모 충당금 적립에 의해 당기순이익이 하락했습니다. 신한금융은 지난 4분기에만 라임 관련 2675억원, 코로나19로 1873억원의 충당금을 적립했습니다. 이 때문에 신한금융의 4분기 당기순이익은 4644억원으로 전년 동기 대비 8.5% 줄었습니다.

 

이런 이유로 지난해 연간 당기순이익은 3조 4552억원을 달성한 KB금융그룹이 리딩금융그룹 타이틀을 가져갔습니다. KB금융의 연간 당기순이익이 신한금융을 앞선 것은 2017년 이후 3년 만입니다.

 

지난해 신한금융지주 견조한 실적의 주요요인은 대출 성장세입니다. 원화대출금이 가계대출과 기업대출 부문에서 고른 성장을 이어가며 연간 10.6% 성장을 기록했습니다.

 

부문별로는 가계대출이 9.0%, 기업대출이 12.3% 성장했습니다. 특히 중소기업 대출이 연간 14.1% 증가하며 전체 자산 성장을 이끌었습니다.

 

4분기 은행의 순이자마진(NIM)은 전 분기 대비 0.02% 감소한 1.34%를 기록했습니다. 수익성 기반의 안정적인 자금 조달 운용으로 은행 부문의 이자 이익은 7조 8430억원을 기록해 전년 대비 1.9% 증가했습니다.

 

그룹의 핵심 사업 분야인 글로벌 부문은 2분기 선제적으로 적립한 코로나19 관련 충당금 효과로 전년 대비 당기순이익이 14% 감소했습니다. 그러나 글로벌 부문 영업이익은 전년대비 954억원 증가한 1조 124억원을 기록했습니다. 자본시장 부문의 GIB, GMS 부문 역시 영업이익 기준으로 각각 전년 대비 33%, 125% 성장했습니다.

 

2020년 그룹 판관비는 종업원 관련 비용 증가로 전년 대비 1.5% 소폭 증가했습니다. 4분기 실시한 신한은행과 신한금융투자의 희망퇴직 비용 증가에 따른 일회성 요인이 반영된 것입니다. 이를 제외하면 여전히 적정 수준이라는 것이 신한금융의 설명입니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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