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최정우 포스코 회장, 연이은 사고에 ‘사죄’...“비판 벗어나기 위한 꼼수에 불과”

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Wednesday, February 17, 2021, 16:02:42

하청업체 직원 사망사고 8일 만에 현장 찾아
내년 중대재해처벌법 시행 앞두고 사고 이어져

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ최정우 포스코 회장이 지난 8일 발생한 포항제철소 원료부두 사고 현장을 방문해 유족과 국민들에게 사과했습니다. 하지만 노동계는 오는 22일 예정된 국회 청문회를 염두에 둔 ‘꼼수 사과’란 분석도 있습니다.

 

17일 포스코에 따르면 최 회장은 지난 16일 포항제철소 원료부두를 방문해 안전관리 상황을 점검하고 향후 안전점검 회의를 직접 주재하고, 안전 책임 담당자를 사장급으로 격상하는 등 안전관리에 힘쓰겠다고 밝혔습니다.

 

포항제철소 원료부두에서는 지난 8일 하청업체 소속 직원 한 명이 컨베이어 롤러 교체 작업 중 사고로 사망했습니다. 지난해 11월 3명의 사망자를 낸 광양제철소 폭발사고와 관련해 사과문을 낸 지 3개월 만입니다.

 

최 회장은 “이유 여하를 불문하고 회사의 최고 책임자로서 유가족분들께 진심으로 고개 숙여 깊이 사죄의 말씀을 드린다”며 “유가족분들과의 진솔한 대화를 바탕으로 유가족분들이 요구하시는 추가 내용들이 있을 경우 이를 최대한 반영할 수 있게 하겠다”고 말했습니다.

 

이어 “최근 사회 공론화 과정을 통해 중대재해처벌법이 제정되었는데 사람 한 명 한 명의 생명이 그 무엇보다 중요한 목소리라고 생각한다”며 “포스코는 이전부터 안전경영을 최우선 목표로 선언하고, 안전 설비에 1조 원 이상을 투자했음에도 최근 사건들이 보여주듯이 개선해야 할 부분이 많음을 절감하고 있다”고 했습니다.

 

그러나 노조는 이날 고용노동부 포항지청에서 기자회견을 열고 “포스코가 내놓은 대책은 결국 살인기업이라는 국민적 비판을 벗어나기 위한 꼼수에 불과한 거짓 대책”이라고 비판했습니다.

 

금속노조 포항지부는 기자회견문에서 “한 기업에서 이토록 많은 노동자가 목숨을 잃는 동안 처벌받는 자는 없었다. 최근 5년간 포스코 포항제철소에서 발생한 10명 이상의 노동자 사망에도 포스코가 받은 처벌은 단 1건, 포항제철소장의 벌금 1000만원과 법인 벌금 1000만원이 전부였다”고 외쳤습니다.

 

최 회장은 오는 22일 예정인 국회 환경노동위원회 산업재해 관련 국회 청문회 증인으로 출석을 앞두고 있습니다.

 

중대재해기업처벌법은 올해 1월 제정돼 내년부터 적용을 앞둔 상황에서 안전 문제에 대한 국민과 정치권의 관심이 집중된 상황입니다. 중대재해처벌법에는 근로자 사망사고가 발생했을 경우 경영책임자에 1년 이상 혹은 10억원 이하의 벌금형이 가능하도록 규정하고 있습니다.

 

포스코는 지난해 12월 발표한 향후 3년간 안전투자 1조 원은 ▲노후·부식 대형 배관, 크레인, 컨베이어 벨트 등 대형 설비의 전면 신예화 ▲구조물 안전화를 위한 콘크리트, 철골 구조물 신규 설치 및 보강 ▲안전통로, 방호울타리, 작업발판 등 안전시설물 일제 점검 및 개선 ▲안전교육 훈련 프로그램 강화 및 실제와 같은 교육 훈련 인프라 구축에 쓰일 예정이라고 전했습니다.

 

금속노조 포스코 지회에 따르면 2018년부터 2020년까지 3년간 포항제철소와 광양제철소에서 산재로 포스코와 협력사 직원 10여 명이 숨졌습니다.

 

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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