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공공재건축 후보지 신길13·망우1·용산 강변강서 등 5곳 선정...평균 용적률 340%

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Wednesday, April 07, 2021, 17:04:28

용적률 상향 통해 1503가구 → 2232가구로 증가
공공직접시행 정비사업 제안 후보지 101곳 접수...7월 후보지 발표

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ정부가 ‘8·4대책’으로 추진하는 공공재건축 선도사업의 첫 후보지를 발표했습니다.

 

국토교통부는 7일 ‘수도권 주택공급 확대방안’에 따라 도입한 공공재건축 선도사업 후보지 5개 단지를 발표했습니다. 이번 공공재건축 후보지는 ▲영등포 신길13구역 ▲중랑 망우1구역 ▲관악 미성건영아파트 ▲용산 강변강서 ▲광진 중곡아파트 등입니다.

 

해당 5개 단지는 지난해 공공재건축 사전컨설팅 공모에 참여해 사전컨설팅 결과를 회신한 7개 단지 중 사업성 개선 효과가 있고 최소 10% 이상의 주민 동의를 확보한 단지들로 선정됐습니다.

 

먼저 SH가 맡게 될 영등포 신길13구역은 용도지역이 3종 일반주거지역에서 준주거지역으로 상향되며 용적률을 124%에서 379%로 상향해 최고 35층 단지로 탈바꿈해 세대수를 현재보다 2배 늘리겠다는 계획입니다. 이에 주택수는 현 233채에서 461채로 배가량 늘어날 전망입니다.

 

LH가 맡을 중랑 망우1구역은 용도지역을 3종 일반주거지역으로 상향하고 용적률을 현 134%에서 225%까지 올려 개발을 추진합니다. 또한 층수도 최고 23층까지 올려 주택 공급량을 현재 270가구에서 438가구로 늘릴 예정입니다.

 

SH가 맡게 될 관악 미성건영도 현 2·3종 일반으로 혼재된 용도지역을 3종 일반으로 상향해 최고 27층 아파트 단지로 만들 예정입니다. 이곳은 토지가 비정형이고 인근 교육시설로 인해 높이 제한으로 사업성 확보가 어려웠지만 주변의 일부 필지를 편입하고 공원 등 기반시설을 정비하는 방식으로 진행합니다.

 

SH가 진행할 용산 강변강서아파트는 현재 3종 일반의 용도지역을 준주거지역으로 상향해 용적률을 500%까지 올려 최고 35층 아파트 단지로 바뀌게 됩니다. 이로 인해 총 268가구 공급이 가능할 것으로 예측됐습니다.

 

LH가 맡게 될 광진구 중곡동 중곡아파트도 370가구 규모의 18층 아파트로 새 단장합니다. 이곳은 단지 내 도로가 관통해 효율적인 동 배치가 어렵고 세대수 과밀로 민간 재건축이 어려워 2015년 재건축을 포기했던 곳입니다. 해당 단지는 2종 일반에서 3종 일반으로 용도지역을 상향하고 용적률을 현재 94%에서 300%로 끌어올려 재건축을 추진하게 됩니다. 다만 인근 지역을 고려해 아파트는 최고 18층으로 설계하고 이를 통해 기존에 없던 일반분양분을 36가구 공급해 사업성을 확보하기로 했습니다.

 

 

◇ 2·4대책 공공직접시행 정비사업 101곳 접수

 

또한 국토부는 이날 2·4대책 일환인 공공직접시행 정비사업, 소규모재개발·재건축 등 후보지로 101곳이 접수돼 입지요건 및 사업성을 검토 중이라고 밝혔습니다.

 

후보지들은 2월부터 현재까지 주민 제안 24곳, 지자체 제안 69곳, 민간 제안 8곳 등이 접수돼 공공직접시행 재개발과 재건축사업이 각 27곳, 소규모 재개발 36곳, 소규모 재건축 11곳 등에서 제안이 이뤄졌습니다.

 

공공직접시행 정비사업은 지자체와 민간이 제안한 사업 구역을 포함해 구역 내 조합 등의 참여 의사를 확인한 후 컨설팅에 나서게 됩니다. 주민제안 지역은 사업계획 컨설팅 결과를 4~5월 중 전달하고 주민 동의 10%를 거쳐 7월 중 후보지 발표를 목표로 추진할 계획입니다.

 

김수상 국토교통부 주택토지실장은 “이번 공공재건축 선도사업 후보지에 대해 지자체, 주민과 긴밀히 소통하고 정부의 지원을 집중하여 속도감 있게 사업을 추진할 것”이라며 “공공직접시행 정비사업 등에 대해서도 컨설팅 회신 및 지자체 협의 등을 거쳐 후보지를 공개해 나가겠다”고 밝혔습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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