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19개 기업 참석한 백악관 반도체 긴급회의...바이든, “공격적 투자 필요”

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Tuesday, April 13, 2021, 08:04:58

바이든 대통령, 경쟁국 중국 직접 거론하며 반도체 인프라 투자 강조
삼성전자·TSMC·인텔 등 글로벌 기업 참석..반도체 공급 안정 대응 방안도 논의

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ바이든 미국 대통령이 글로벌 전 세계 굴지의 반도체 기업을 불러 반도체 공급 부족 사태를 대응하기 위한 긴급 화상 회의를 진행했습니다. 미국과 중국의 반도체 패권 경쟁이 본격화한 가운데, 중국 견제를 위해 자국 내 시설 투자를 요구하는 미국의 압박이 거세질 것으로 보입니다.  

 

12일(현지시간) 미국 바이든 대통령은 ‘반도체 화상회의’에서 “중국이 기다려주지 않는다. 미국이 기다려야 할 이유도 없다”며 “반도체와 배터리에 공격적인 투자를 하겠다”고 강조했습니다. 

 

바이든 대통령이 경쟁국인 중국을 직접 거론했는데요. 또 이 자리에서 삼성전자 반도체 웨이퍼를 들어 올리며, 미국 기간 시설 구축을 위해 반도체 분야에서 미국이 전 세계를 주도할 것이라고 말했습니다. 바이든 대통령은 “내가 여기 가진 칩, 이 웨이퍼, 배터리, 광대역, 이 모든 것은 인프라”라며 “우리는 인프라를 구축할 필요가 있다”며 공격적인 투자를 예고했습니다. 

 

현재 삼성전자는 미국 내 추가 반도체 공장 설립을 추진 중입니다. 투자 규모는 총 20조원 가량 되는 가운데, 텍사스 오스틴 등이 유력 후보지로 검토하고 있습니다. 

 

특히 ‘반도체 굴지’를 내세워 정부의 강력한 지원 속에 반도체 기술을 성장시키고 세계 시장 점유율을 높여온 중국에 대한 강한 견제 심리를 숨기지 않았는데요. 그는 이날 여야 상·하원 의원 65명에게서 반도체 지원을 주문하는 서한을 받았다면서 중국 공산당이 “반도체 공급망을 재편하고 지배하려는 공격적 계획을 갖고 있다”는 서한 내용을 소개하기도 했습니다. 

 

이 발언은 바이든 대통령이 지난달 제시한 2조2500억 달러(2530조 원) 규모의 인프라 예산에 대한 의회의 처리를 촉구하는 의미도 담겨 있습니다. 여기에는 500억 달러의 반도체 제조 및 연구 지원 예산이 포함돼 있습니다.

 

이날 회의에서는 반도체 칩 단기 수급 불안에 대한 개선책과 장기적으로 안정적 공급 방안까지 논의된 것으로 알려졌습니다. 

 

젠 사키 백악관 대변인은 이날 정례 언론 브리핑에서 반도체 회의와 관련해 장단기 공급 부족 해법에 초점을 맞출 것이라면서 “우리 관점은 분명히 업계와 긴밀히 협력할 필요가 있다는 점이다. 의회와도 긴밀히 협력해야 한다”고 말했습니다. 

 

다만 사키 대변인은 이날 회의가 “단기는 물론 장기적으로도 이 문제를 어떻게 가장 잘 해결할지에 관해 계속되는 관여와 논의의 일부”라며 “어떤 결정이나 발표를 예상하는 회의는 아니다”라고 덧붙였습니다.

 

한편, 이날 회의에 초청된 기업은 반도체와 자동차 등 글로벌 기업 19곳입니다. 업계에선 삼성전자를 포함해 대만 TSMC, HP, 인텔, 마이크론, 자동차 기업인 포드, GM 등 미국 안팎의 기업이 참석했습니다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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