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“폴더블폰 대중화 박차”...삼성전자, ‘갤폴드3·플립3’ 한 달 빨리 출시한다

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Monday, May 10, 2021, 14:05:21

갤럭시노트 대신 폴더블폰 시리즈 8월 출시..카메라 화면 밑에 배치한 UDC 기술 첫 적용
노트 상징이던 S펜도 옵션으로 선택 가능..Z플립 출고가 50만원 낮아져 100만원 초반 예상

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ오는 8월 삼성전자(대표이사 김기남·김현석·고동진)의 하반기 전략 신형 스마트폰이 쏟아질 것으로 보입니다. 갤럭시노트 시리즈의 빈자리를 채울 폴더블폰 2종과 보급형 스마트폰이 동시에 출격할 예정입니다. 현재 삼성전자는 이동통신업계와 8월 말 출시하는 방안을 협의 중입니다. 

 

10일 업계에 따르면 삼성전자는 ‘갤럭시S21 FE’, ‘갤럭시Z폴드3’, ‘갤럭시Z플립3’ 등 신형 스마트폰 3종 출시 시기를 조율하고 있습니다. 지난달 갤럭시Z폴드3와 갤럭시Z플립3로 추정되는 이미지와 세부사항이 외신 등을 통해 이미 공개됐습니다. 

 

◇ 한 달 더 먼저 출시한 폴더블폰...갤럭시노트 빈자리 채운다

 

이번 갤럭시Z폴드3와 갤럭시Z플립3은 지난해보다 한 달 더 먼저 출시할 것으로 보입니다. 지난해 갤폴드Z 시리즈는 9월에 출시했습니다. 그 동안 삼성전자는 매년 8월 갤럭시노트 시리즈를 출시해왔습니다. 올해 삼성전자가 갤럭시노트 신제품을 내놓지 않기로 결정하면서 폴더블폰 2종으로 노트 빈자리를 메울 전망입니다. 

 

이번 ‘갤럭시Z폴드3’에는 S펜 탑재와 내부 카메라를 화면 밑으로 숨기는 ‘언더디스플레이카메라(UDC)’ 기술을 적용했습니다. 삼성전자가 자사 스마트폰 UDC 기능을 탑재한 것이 이번이 처음인데요. ‘언더디스플레이카메라’는 디스플레이 밑에 카메라를 배치해 외부에서는 카메라가 보이지 않도록 하는 새로운 기술입니다. 

 

또 이번 갤럭시Z폴드3는 갤럭시 노트의 상징이었던 S펜도 지원합니다. 다만, S펜의 경우 기기 자체에 보관하는 방식 대신 별도 구매가 필요할 것으로 보입니다. 샘모바일은 “갤럭시Z폴드3는 새로운 하이브리드 S펜을 받게될 것”이라며 “화상통화와 동시에 메모를 쉽게할 수 있다”고 말했습니다. 

 

무게도 가벼워질 전망입니다. 삼성전자는 갤럭시폴드 시리즈 무게의 큰 부분을 차지하는 힌지(화면을 접고 펴는 경첩) 부품을 경량화한 것으로 전해졌습니다. 갤럭시Z폴드3는 전작보다 더 개선된 초박형유리(UTG, Ultra Thin Glass)를 적용합니다. 

 

세로축으로 위아래로 접었다가 펼치는 갤럭시Z플립3는 2030층 공략에 나섭니다. 기존의 한 가지 색상에서 화이트, 퍼플, 그린, 그레이를 조합한 색으로 구성될 것이란 전망입니다. 

 

삼성전자는 출시 3년차에 접어든 폴더블폰 대중화에 박차를 가하고 있습니다. 갤럭시Z폴드3와 갤럭시Z플립3 타깃 고객층을 명확히하고, 다양한 색상 조합도 가능할 것으로 전망되는데요. 특히 갤럭시Z플립3의 경우 출고가를 전작 보다 50만원 낮춰 100만원대로 접근성을 높일 것이란 관측이 나옵니다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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