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코로나19 신규 확진 1212명…김부겸 총리 “현행 거리두기 일주일 유지”

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Wednesday, July 07, 2021, 10:07:04

중대본 “2~3일 관찰 후 가장 강력한 거리두기 단계까지도 조치 가능”

 

인더뉴스 엄수빈 기자ㅣ7월 들어 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 신규 확진자 수가 1200명을 넘어서며 4차 대유행 우려가 번지고 있습니다. 델타 변이 바이러스 확산세가 심상치 않은 상황에서 확진자 규모는 3차 대유행의 정점이었던 지난해 12월 이후 최고치를 기록했습니다. 

 

김부겸 국무총리는 7일 정부서울청사에서 열린 중앙재난안전대책본부(중대본)에서 “이날 0시 기준으로 신규 확진자 수가 1212명을 기록했다”고 말했습니다. 이는 3차 대유행 정점이었던 지난해 12월25일 1240명 이후 6개월 만에 가장 많은 수치인데요. 국내 신규 확진자가 1000명을 넘어선 것도 1월3일 1020명 이후 처음입니다.

 

김 총리는 “다시 한 번 모든 역량을 코로나19 대응에 쏟아부어야 할 비상상황”이라며 “일단 일주일간 기존의 거리두기 체계를 유지하고, 2~3일 더 지켜보다가 이 상황이 잡히지 않으면 새로운 거리두기의 가장 강력한 단계까지도 조치를 취할 수 있다”고 말했습니다.

 

김 총리에 따르면 변이 바이러스 확산과 백신 미접종자가 감염 확산 원인으로 추정되고 있습니다. 수도권 코로나 확진자 수는 전체의 85% 수준인데, 특히 20~30대 젊은층을 중심으로 감염이 급증하고 있습니다. 특히 방학·휴일을 맞아 모임이 증가하고, 전파력이 강한 델타 변이가 기름을 붓고 있다는 게 김 총리의 설명입니다. 

 

김 총리는 “20~30대는 증상이 없더라도 가까운 검사소에서 예방적 진단검사를 받길 강력히 권고한다”며 “서울시는 자치구별로 최소 2개 이상 선별검사소를 추가 설치해 현재 26개에서 51개로 확대할 방침”이라고 말했습니다. 또 수도권 소재 직장은 재택근무를 확대하고, 공공기관은 회식 모임을 자제할 것을 당부했습니다.

 

그는 “정부 합동 특별점검단을 신설해 현장 이행력을 확보할 것”이라며 “원스트라이크 아웃제를 적용해, 위반 적발시 영업정지 및 구상권 청구·재난지원금 배제 등을 검토하겠다”고 강조했습니다.

 

한편 백신 미접종자가 많은 20~30대를 중심으로 확산이 늘며 백신 접종 속도에도 우려가 나오고 있는데요. 각 연령대별 1차 접종률은 20대 10.5%, 30대 20.5%, 40대 13.7% 수준에 불과합니다. 김 총리는 “이번 이스라엘과의 백신스와프 물량을 수도권에 집중 공급하겠다”고 말했습니다. 

 

오세훈 서울시장은 6일 오전 서울시청에서 김부겸 국무총리 주재로 열린 수도권 방역 특별점검회의에서 “활동반경이 넓고 활동량이 많은 젊은층에 대해서 우선 접종을 시행할 수 있도록 서울시에 더 많은 백신을 배정해주실 것을 요청드린다”고 밝혔습니다.

 

오 시장은 “7월 들어서 백신접종 속도가 매우 둔화되고 있다”며 “젊은층들에게 빨리 백신을 맞히면 상황 해결에 도움이 될 것으로 판단된다”고 설명했습니다. 현재 18~49세 일반인의 경우, 50대 접종이 완료되는 8월 21일 이후 사전예약 순서에 따라 선착순으로 접종할 예정입니다.

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엄수빈 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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