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SK종합화학, 국내 최대 ‘폐플라스틱 자원순환 설비’ 짓는다…5년간 6000억원 투자

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Thursday, July 08, 2021, 14:07:48

대규모 열분해·해중합 방식 폐플라스틱 재활용 설비 건설

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣSK종합화학이 울산에 폐플라스틱 자원순환 설비를 짓습니다.

 

SK종합화학(대표 나경수)은 8일 울산광역시와 ‘폐플라스틱 자원순환 사업 투자 양해각서(MOU)’를 체결했다고 밝혔습니다.

 

이번 협약에 따라 SK종합화학은 2025년까지 약 6000억원을 투자해 울산미포국가산업단지 내 축구장 22개 크기인 약 16만m² 부지에 열분해 및 폐 페트(PET) 해중합 방식으로 폐플라스틱을 원료로 재활용하는 공장인 도시유전을 신설할 계획입니다. 이는 국내 폐플라스틱 자원순환 사업 중 최대 규모입니다.

 

폐플라스틱 자원순환 사업은 기존 기계적 재활용(Mechanical Recycling) 방식의 한계를 극복하고, 플라스틱 자원 선순환 체계의 완성을 위하여 화학적 재활용(Chemical Recycling) 방식인 열분해와 해중합 방식을 도입했습니다.

 

SK종합화학은 2024년까지 브라이트마크사와 협력해 울산미포국가산업단지 내에 연간 10만톤 처리 규모의 열분해 생산설비를 구축합니다. 생산되는 열분해유는 SK종합화학 석유화학 공정의 원료로 사용할 계획입니다.

 

또한 SK종합화학은 캐나다 루프인더스트리사와 손잡고 같은 부지 내에 2025년까지 연간 8만4000톤 처리 규모의 해중합 설비를 구축할 계획입니다. 이를 바탕으로 SK종합화학은 2025년 90만톤, 2027년 250만톤까지 폐플라스틱 재활용 규모를 확대해 회사가 생산하는 플라스틱의 100% 수준에 해당하는 폐플라스틱 전부를 재활용해 나갈 방침입니다.

 

송철호 울산광역시 시장은 “정부의 2050 탄소중립 추진 전략에 발 맞춰 SK종합화학의 울산광역시 내 폐플라스틱 친환경 순환사업 투자를 환영한다”며 “울산광역시는 앞으로 공장설립 과정에서 필요한 행정적 지원을 아끼지 않을 것”이라고 말했습니다.

 

나경수 SK종합화학 사장은 “이번 설비 투자 결정은 ‘탄소에서 그린 사업으로의 전환’이라는 파이낸셜 스토리 전략에 기반한 사업적 실체를 처음 선보였다는 데 중요한 의미가 있다”며 “이를 시작으로 폐플라스틱으로부터 다시 원료유를 뽑아내는 도시유전이라는 역발상을 통해 국내를 넘어 아시아지역으로 폐플라스틱 리사이클 사업을 확대, 폐플라스틱 자원 선순환을 견인하는 글로벌 기업으로 성장해 ESG경영을 완성해 갈 것”이라고 강조했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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