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행복주택 ‘결혼·출산·부양’ 등 생애주기 맞춰 자격 완화

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Monday, October 18, 2021, 14:10:58

국토부 ‘공공주택 특별법 시행규칙’ 개정안 입법예고
생애주기 전환 따라 입주 및 주거 기준 등 낮춰
연말부터 시행 예정

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ오는 12월부터 공공임대주택인 행복주택의 입주 및 거주 자격이 완화됩니다.

 

18일 국토교통부에 따르면 행복주택의 입주 자격을 합리적으로 개선하는 내용을 담은 '공공주택 특별법 시행규칙' 개정안을 19일부터 다음 달 29일까지 입법 예고합니다.

 

현재는 대학생이 청년·신혼부부(한부모가족 포함)로, 또 청년이 신혼부부로 계층이 바뀔 경우에만 계속 거주를 허용했지만 앞으로는 ▲신혼부부→청년 ▲수급자↔청년·신혼부부 ▲신혼부부·수급자→고령자 등의 경우에도 허용합니다.

 

계층 변경 시 기존 거주기간을 포함해 최대 10년까지만 거주할 수 있도록 제한한 규정도 개정합니다. 앞으로는 계층 변경계약 시점부터 변경된 새 계층의 거주기간을 새로 적용할 예정입니다.

 

현재 계층별 최대 거주기간은 대학생·청년은 6년, 자녀가 있는 신혼부부는 10년, 고령자·수급자는 20년 등입니다.

 

행복주택의 재청약 제한 폐지 규제도 사라집니다. 행복주택은 동일 계층으로 다른 행복주택에 다시 입주하는 것을 원칙적으로 제한하고 있습니다.

 

현재는 세대원 수 증감, 병역의무 이행, 대학소재지·직장 변경 등 불가피한 경우에만 재청약이 가능했습니다. 하지만 개정안에는 재청약 제한 규정을 삭제했습니다. 그러나 다른 행복주택에 동일한 계층으로 다시 선정된 경우 기존의 거주기간을 포함해 최장 거주기간을 적용합니다.

 

또한 국민임대나 통합 공공임대주택의 입주자가 동일 유형의 다른 임대주택으로 이주하려는 경우 그 사유가 출산, 노부모 부양, 사망 등 입주자의 생애주기에 따른 가구원 수 증감인 상황일 때는 선정 심사에서 감점을 받지 않게 됩니다.

 

이 외에도 산업단지형 행복주택을 입주 기업 및 교육·연구기관에 공급하는 경우 입주자 선정 이후 잔여분에 대해 소득·자산 등 입주 자격을 완화해 공실율을 낮추기로 했습니다. 공공임대주택 신청 시 소득·자산 등 입주 자격을 확인할 때 사실상 이혼이나 행방불명 등의 사유가 있는 경우에는 세대 구성원에서 제외할 수 있도록 했습니다.

 

행복주택은 LH 등 공공주택 사업자가 직접 건설해 보유하면서 청년과 신혼부부(6∼10년) 및 취약계층(20년) 등에게 제공하는 공공임대주택입니다. 임대료가 주변 시세의 60~80% 수준으로 저렴한 것이 특징입니다.

 

국토부 관계자는 “개정안은 우선 행복주택에 거주하는 도중 입주자의 계층(신분)이 변동될 경우에 허용하는 계속 거주 사유를 다양한 계층 변동 상황을 고려해 확대했다”며 “입법예고 기간 개정안에 대한 의견을 충분히 수렴한 뒤 관계기관 협의, 법제처 심사를 거쳐 12월부터 시행할 계획이다”고 밝혔습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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