검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Bank 은행

KB금융, 3분기 순이익 1.3조원 ‘어닝 서프라이즈’

URL복사

Friday, October 22, 2021, 11:10:12

올해 3분기 누적 순이익만으로 전년 순이익 초과
수익 기반 확대와 포트폴리오 다각화의 성과
환율·금리 상승으로 기타영업손익은 부진

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣKB금융그룹이 1조 3000억 원에 가까운 당기순이익을 달성해 3분기 누적 실적으로 지난 해를 앞질렀습니다.

 

22일 KB금융그룹에 따르면 3분기 당기순이익은 1조 2979억 원입니다. 전 분기(1조 2043억 원) 대비 7.8% 증가했습니다. 3분기 누적 당기순이익은 3조 7722억 원입니다. 전년 동기 대비 31.1% 증가했으며, 지난해 연간 순이익(3조 4552억 원)을 초과한 수치입니다.

 

지난 9월 말 기준 그룹 총자산은 650조 5000억 원으로 집계됐습니다. 관리자산(AUM)을 포함한 그룹 총자산은 1121조 8000억 원을 기록했습니다. 전년 말 대비 39조 9000억 원 증가한 수치입니다. 예수증권과 수탁고(투자자가 펀드에 예치한 자금)가 늘어난 덕분입니다.

 

당초 KB금융그룹의 3분기 당기순이익은 1조 2000억 원 규모로 전망됐습니다. 이번 실적발표에 대해 ‘어닝서프라이즈(깜짝실적)’란 반응이 나오는 이유입니다.

 

안정적 순이자이익 및 순수수료이익 증가와 더불어, 신용손실충당금전입액 감소 등이 주요 요인으로 꼽힙니다. 전년 동기 대비 누적 순이자이익은 15.6%, 누적 순수수료이익은 26.4% 증가했습니다.

 

이같은 결과에 대해 KB금융그룹은 사업 부문 별 수익 창출 기반 확대 및 M&A(인수합병)를 통한 포트폴리오 다각화의 성과라 분석했습니다.

 

반면 3분기 기타영업손익은 1141억 원 손실을 기록하며 다소 부진했습니다.

 

환율 및 금리 상승으로 유가증권·파생상품·외화환산이익이 감소했습니다. 손해율 상승 및 보증준비금 증가로 보험 손익도 축소됐습니다.

 

최근 한국은행의 기준금리 추가 인상 가능성과 함께 정부의 각종 금융지원 프로그램이 연장되고 있습니다. 기업의 자산건전성에 대한 시장의 우려가 커지는 원인입니다. 다만 KB금융그룹은 금융지원 종료 후에도 자산건전성이 급격히 악화되지 않을 것이라 주장합니다.

 

KB금융그룹 관계자는 “어느 때보다 금융회사들의 리스크관리가 강조되는 상황”이라며 “KB는 작년에 약 3800억 원의 추가충당금을 적립해 불확실성에 대응할 충분한 완충제(Buffer)를 확보했다”고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너