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[코스피 마감] 2차전지株 급락에 1.8%↓…사흘 만에 3000선 내줘

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Monday, December 20, 2021, 16:12:16

1.81% 내려 2963.00 기록
美 사회지출법안 통과 실패에 투심 위축
외국인+기관 1조 순매도

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ이달 들어 양호한 흐름을 이어가던 코스피가 돌연 2% 가까이 급락했다. 오미크론 공포가 다시 확산되고 있는데다 미국 사회지출 법안 무산 가능성이 커지면서 투자심리가 급격히 위축된 탓이다. 특히 전기차 보조금 지원 축소 우려로 2차전지 관련주들이 일제히 폭락세를 연출했다.

 

20일 코스피 지수는 전 거래일보다 1.81% 하락한 2963.00에 거래를 마쳤다. 오전부터 힘을 쓰지 못한 지수는 장중 내내 낙폭을 키우며 3000선 아래로 내려갔다.

 

서상영 미래에셋증권 연구원은 “글로벌 오미크론 확산 우려와 아시아 증시 하락 등에 지수가 떨어졌다”며 “미국에서 간밤 사회지출 법안 통과 실패에 따른 전기차 보조금 지원 축소가 반영돼 2차전지 관련주가 하락했다”고 설명했다.

 

19일(현지시간) 조 맨친 민주당 상원의원은 조 바이든 미국 대통령이 노력해온 2조 달러 규모의 ‘더 나은 재건(Build Back Better)’ 법안에 반대했다. 그는 폭스뉴스와의 인터뷰에서 “나는 법안에 투표할 수 없다”고 말했다. 백악관이 속히 반박 성명을 발표했지만 분위기가 얼어붙은 모습이다.

 

개인이 홀로 1조 788억 원 가량을 순매수했지만 지수 방어에는 역부족이었다. 외국인은 5522억 원 가량, 기관은 5688억 원 가량을 순매도하며 지수를 끌어내렸다.

 

업종별로는 의료정밀을 제외하고 모두 하락했다. 화학 업종이 3% 이상 하락했고 철강·금속, 운수창고, 전기가스업 등이 2% 이상 내렸다. 제조업, 종이·목재 등도 약세를 보였다.

 

시가총액 상위 종목들이 대부분 파란불을 켰다. 특히, LG화학이 5.88%, SK이노베이션이 5.22%, 삼성SDI가 3.82% 내리면서 2차전지 관련주가 동반 급락세를 보였다. 카카오도 3% 이상 하락했고 네이버, 현대차, 기아 등이 하락 마감했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 기관의 매도세 속에 나란히 1%대 약세로 마쳤다.

 

이날 거래량은 3억 7142만 주, 거래대금은 8조 5162억 원 가량을 기록했다. 상한가 1개를 포함해 116 종목이 상승했고 하한가 없이 785 종목이 하락했다. 보합에 머무른 종목은 31개였다.

 

한편, 코스닥은 1.07% 내린 990.51을 기록했다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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