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포스코케미칼 음극재, 배터리소재 첫 ‘환경성적표지’ 인증

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Thursday, January 06, 2022, 09:01:28

탄소배출량 등 환경영향 공개
양·음극재 저탄소 동시 인증 추진

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣ포스코케미칼이 음극재 생산과정의 탄소배출량 등 환경영향 공식 인증을 통해 친환경경영 성과를 인정받았습니다.

 

포스코케미칼(대표 민경준)은 환경부로부터 배터리 핵심소재인 천연흑연 음극재에 대한 ‘환경성적표지’ 인증을 획득했다고 6일 밝혔습니다.

 

환경성적표지 인증은 제품의 원료 채굴부터 생산·사용·폐기 등 전 과정에 대한 환경영향을 계량적으로 표시해 공개하는 국가 공인 인증제도로, 고객들이 환경친화적인 제품을 선택할 수 있는 지표로도 사용되고 있습니다.

 

포스코케미칼은 배터리소재 업계 최초로 환경성적표지 인증을 획득했습니다. 음극재의 원료 채굴부터 제조 과정까지의 탄소발자국·자원영향·물사용량·오존층 영향·산성화·부영양화·광화학스모그 등 7대 환경성적을 공개했습니다.

 

회사 측에 따르면 음극재 1㎏을 생산할 때 발생하는 탄소발자국은 3.24㎏ CO₂이며, 60㎾h 전기차 1대 기준으로 환산하면 약 175㎏ CO₂입니다. 탄소발자국이란 제품의 전 과정에서 발생하는 온실가스를 CO₂ 배출량으로 환산한 지표를 말합니다.

 

포스코케미칼은 이번 인증으로 강화되는 글로벌 환경규제와 전기차 및 배터리 고객사의 환경경영 강화에 선제적으로 대응해 배터리 소재의 환경영향을 투명하게 공개하고 전기차 산업의 친환경성을 높이는 계기를 마련했다고 평가했습니다.

 

전기차는 주행 중 온실가스 배출이 없는 친환경 모빌리티지만, 생산 과정의 탄소배출량 등 전체 제품주기의 친환경성을 입증하는 데 어려움이 있었습니다. 이에 유럽연합이 2024년부터 배터리 탄소발자국 신고를 의무화하는 등 관련 산업의 환경규제가 강화되고 있습니다.

 

포스코케미칼은 재생에너지의 사용 비중을 높이고 음극재 공정에서 발생하는 흑연분을 자원으로 재활용하는 순환자원 품질표지 인증을 지난 9월 획득하는 등 친환경적인 소재 생산을 위해 다양한 노력을 기울여왔습니다.

 

또 내년 상반기에 양극재에 대해서도 환경성적표지 인증을 획득하고 양·음극재 생산 과정의 탄소배출량을 감축해 저탄소 제품 인증도 추진할 계획입니다.

 

제품 경쟁력 확보를 위한 기술 개발도 활발히 추진 중입니다. 독자개발한 저팽창 음극재를 GM-LG에너지솔루션 배터리 합작사 ‘얼티엄셀즈’ 생산 시점에 맞춰 공급하며, 향후 에너지밀도 증대를 통해 전기차 주행거리를 크게 늘린 실리콘 음극재 등 신기술 개발에 집중하고 있습니다.

 

안정적인 원료 확보와 밸류체인 전반에 대한 역량도 강화합니다. 포스코가 음극재 원료인 흑연광산 지분을 인수한 데 이어 포스코케미칼이 중간원료인 구형흑연 확보를 위한 지분투자를 결정한 바 있습니다. 

 

음극재 코팅용 피치와 인조흑연 음극재의 원료인 침상코크스를 자체 생산하고, 인조흑연 음극재 회사인 중국 시누오사의 지분을 인수하는 등 음극재 전체 밸류체인을 구축해 나가고 있습니다.

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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