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LG엔솔 “IPO 통해 글로벌 생산 능력 확대…CATL과 경쟁 자신”

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Monday, January 10, 2022, 15:01:49

8조 8000억원 이상 국내외 투자 계획
최대 12.7조 공모해 이달 말 신규 상장

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ이달 말 유가증권시장 상장을 목표로 공모 절차를 진행중인 LG에너지솔루션이 중장기 사업 비전과 전략을 공개했다. 8조 8000억 원 이상의 투자를 통해 글로벌 생산 능력을 키워나가겠다는 계획이다.

 

LG에너지솔루션은 10일 여의도 파크원 본사에서 온라인 기자간담회를 진행했다.

 

LG에너지솔루션은 지난달 초 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 공모 절차를 시작했다. 총 공모 주식수는 4250만 주, 주당 희망공모가액은 25만 700원 ~ 30만 원이다. 공모가 최상단 기준으로 최대 12조 7500억 원의 투자 재원을 마련할 수 있다.

 

LG에너지솔루션은 IPO를 통해 마련한 자금을 ▲한국·북미·유럽·중국 등 국내외 생산기지 능력 확대를 위한 투자 ▲차세대 전지 연구개발(R&D) 및 신규사업으로 미래선도 ▲품질, 안전성 강화 및 차별화된 수익성 확보 등에 사용한다는 계획이다.

 

권영수 LG에너지솔루션 부회장은 “북미 홀랜드 공장, GM 합작법인 얼티엄셀즈 등의 생산능력 확대를 위해 오는 24년까지 5조 6000억 원 가량을 투자할 계획”이라며 “한국 오창 공장, 유럽 및 중국 생산 공장에도 총 3조 2000억 원 가량을 투자할 예정”이라고 설명했다.

 

LG에너지솔루션은 차세대 전지로 전고체 전지와 리튬황 전지 개발에 주력하고 있다. 신규사업에서는 ▲배터리 리사이클 등 자원선순환 시스템 구축 ▲배터리 데이터를 활용한 진단 및 수명 예측 등 BaaS(Battery as a Service) 플랫폼 사업 ▲에너지저장장치(ESS) 통합 솔루션 사업 등을 추진할 예정이다.

 

품질과 안전성 강화를 통해 차별화된 수익성을 확보한다는 계획도 밝혔다. 권 부회장은 “스마트팩토리를 구축해 생산과정에서 발생할 수 있는 다양한 변수를 사전에 감지하는 역량을 확보할 것”이라며 “기존 품질 센터를 최고품질책임자 조직으로 승격시키는 등 인력과 권한을 대폭 강화했다”고 설명했다.

 

CATL과의 경쟁에서도 자신감을 보였다. 권 부회장은 “CATL은 주로 중국 내 자동차 업체들이 자국 배터리를 사용했기 때문에 어렵지 않게 매출을 늘릴 수 있었다”며 “앞으로 글로벌 기업이 되기 위해서는 유럽과 미국의 점유율을 늘려야 하는데 쉽지는 않을 것”이라고 말했다.

 

이어 권 부회장은 “LG에너지솔루션은 양극재 등 소재부분에서 우위를 점하고 있다”며 “상장 후에는 CATL과의 시가총액 격차가 좁혀질 것”이라고 말했다.

 

LG에너지솔루션은 이달 14일 수요예측 결과에 따른 최종 공모가액을 확정한다. 이달 18~19일 일반 투자자를 대상으로 공모주 청약을 진행한 뒤 이달 말 중 최종 신규 상장할 예정이다.

 

대표 주관사는 KB증권, 모간스탠리인터내셔날증권이며 공동 주관사는 대신증권, 신한금융투자, 골드만삭스증권, 메릴린치인터내셔날LLC증권, 씨티그룹글로벌마켓증권이 맡는다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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