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‘고양~의정부’ 교외선, 20년 만에 부활…경기북부 수혜지역은?

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Wednesday, January 19, 2022, 11:01:05

연말까지 실시설계 완료 뒤 본격 공사 돌입..2024년 완공 예정
수도권 순환철도망 사업 핵심노선..497억원 사업비 투입
경기북부권 이동시간 단축 및 역세권 부동산 호재 기대

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ경기 고양 대곡부터 양주 장흥을 거쳐 의정부역까지 총 32.1㎞ 구간을 잇는 교외선 철도가 20년 만에 부활합니다. 이에 따라 열악한 경기북부권 교통망의 개선과 함게 경기북부권 부동산 시장에서 영향을 미칠 가능성이 커졌습니다. 

 

19일 경기도에 따르면, 수도권 순환철도망 사업 가운데 하나인 교외선의 실시설계를 연말까지 완료한 뒤 2024년 개통을 목표로 공사에 돌입합니다. 교외선 재개 사업은 국토교통부가 사업비 497억 원을 투입하며 각 지자체에서 운영손실 및 철도 차량 정밀안전진단비를 부담하는 방식으로 추진됩니다.

 

교외선은 고양, 의정부, 양주 등 경기 북서부권 주요 지역을 잇는 철도노선으로 지난 1963년 8월 개통 후 관광·여객·화물운송 등 지역경제 활성화에 기여해온 바 있습니다. 그러나 첫 개통 이후 40년 만인 지난 2004년 4월 이용수요 저조를 이유로 운행이 중단됐습니다.

 

그러나 지난 2017년 국토교통부가 수도권 순환철도망 사업을 추진하며 교외선 부활이 기지개를 켜게 됐습니다. 이후 지난해 경기도, 고양시, 양주시, 의정부시, 국가철도공단, 한국철도공사가 협약을 맺고 운행 재개사업을 진행키로 뜻을 모았습니다.

 

정차역은 대곡·원릉·일영·장흥·송추·의정부역 등이며 차량은 디젤동차(RDC) 3량 1편성으로, 평일 24회, 주말·휴일 16회가 운행될 예정입니다.

 

교외선 재개 공사가 본격화 됨에 따라 2024년 이후 경기북부권의 교통망이 부분적으로 해소될 것으로 전망됩니다. 특히, 의정부시~고양시 직통 철도가 부활함에 따라 각 지역 이동 시 소요됐던 시간이 크게 단축될 것으로 기대되고 있습니다.

 

의정부 주민이 지하철을 이용해 고양 대곡까지 이동하려 할 경우 지하철 1호선을 탑승한 뒤 서울 종로3가역에서 3호선으로 환승해야 해 약 1시간 30여분의 이동시간이 소요됐습니다. 교외선이 재개될 경우 이동 또는 환승으로 인한 소요시간의 단축을 통해 원활히 이동할 수 있을 전망입니다.

 

교외선 재개는 노선 내 부동산 시장에 영향을 줄 확률이 큽니다. 우선 지난해 8월 정부가 발표한 공공주택 3차 입지 가운데 6000가구 규모의 양주 장흥지구가 교외선 장흥역과 가깝습니다. 이 외에 고양시 대곡역 주변의 능곡1구역과 원릉역 주변 원당지구 내 위치한 아파트 단지 등이 교외선 부활의 수혜단지로 거론됩니다. 

 

실제로 능곡1구역에 위치한 대림아파트의 전용면적 59.4㎡의 경우 지난해 1월 4억5000만원에 거래됐으나 교외선 실시설계 계획이 발표된 이후 지난해 11월 5억7500만원으로 1억2000만원이 오른 5억7500만원에 거래됐습니다. 

 

부동산 업계 관계자는 “아파트 시장에서 역세권은 전통적으로 호재로 작용함과 동시에 가격을 좌우하는 주요 지표격으로 여겨져 왔다"며 "철도가 들어선다는 것은 교통망의 확실한 개선을 의미하므로 해당 지역 또한 가치 상승에 영향을 받을 것으로 보인다"고 전망했습니다.

 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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