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삼성전자, 미국 ‘5G 통신장비 시장’ 역대 두번째 규모 수주

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Wednesday, May 04, 2022, 09:05:27

1조원 규모 디시 네트워크의 5G 통신장비 공급 수주
미국 내 제4 이동 통신사업자 수주 통해 시장 공략

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ삼성전자는 미국 제4 이동 통신사업자 디시 네트워크(DISH Network)의 대규모 5G 통신장비 공급사로 선정됐다고 4일 밝혔습니다. 이번 수주는 삼성전자의 미국내 5G 통신장비 공급 중 역대 두번째 규모로 약 1조원 상당의 계약으로 알려졌습니다. 

 

삼성전자는 지난 2020년 9월 미국 버라이즌과 체결한 7조9000억원 규모의 네트워크 장비 공급 계약을 하며 국내 통신장비산업 역사상 최대 규모의 단일 수출 계약 기록을 세웠습니다. 

 

삼성전자는 디시 네트워크의 미국 5G 전국망 구축을 위한 ▲5G 가상화 기지국(virtualized Radio Access Network, vRAN) ▲다중 입출력 기지국(Massive MIMO radio)을 포함한 라디오 제품 등 다양한 통신 장비를 공급할 예정입니다. 

 

1980년 위성TV 서비스 기업으로 설립된 디시 네트워크는 2020년 미국 전국 무선통신 서비스를 위한 주파수 라이선스를 확보해 이동 통신 시장에 진출한 뒤 5G 전국망 구축을 위한 투자를 이어오고 있습니다. 

 

업계에서는 삼성전자가 미국 이동통신 시장에서 새롭게 부상하고 있는 디시 네트워크의 대규모 5G 통신장비 공급사로 선정됨으로써 세계 최대 통신 시장인 미국 내 점유율을 확대하고 핵심 공급사로서의 입지를 더욱 강화할 것으로 보고 있습니다. 

 

삼성전자가 디시에 공급하는 5G 가상화 기지국은 소프트웨어를 범용 서버에 탑재해 기지국 기능을 구현하는 방식으로 유연하고 효율적인 통신망 구축과 운영을 지원하는 차세대 기술로 평가받고 있습니다. 

 

삼성전자는 2020년 12월 업계 최초로 미국에서 가상화 기지국의 대규모 상용에 성공한 이후, 영국, 일본 등 글로벌 시장에 진출하고 있습니다. 특히 삼성전자의 5G 가상화 기지국은 지난 3월, 모바일 월드 콩그레스(MWC) 2022 글로벌 모바일 어워드(Global Mobile Awards)의 대상격인 ‘CTO초이스’와 ‘최고의 모바일 혁신 기술상’ 2관왕을 수상하는 등의 성과를 거두고 있습니다. 

 

디시 네트워크는 세계 이동통신시장에서 기술력이 검증된 삼성전자의 5G 가상화 기지국 등 차세대 통신장비를 도입해 빠른 시일내 안정적인 전국 통신망을 구축함으로써 미국 내 본격적인 5G 가입자 확보 경쟁에 돌입할 계획입니다. 

 

삼성전자 네트워크사업부장 전경훈 사장은 "삼성전자의 차세대 소프트웨어 기술력과 글로벌 상용 역량이 집약된 5G 가상화 기지국은 통신 시장의 패러다임의 변화를 이끌고 있다"며 "이번 디시와의 협력은 이런 노력에 대한 결실”이라고 말했습니다. 

 

디시 네트워크 존 스위링가(John Swieringa) 최고운영책임자(사장)는 "삼성전자의 5G 가상화 기지국과 차세대 통신 기술력은 디시의 5G 네트워크 구축에 핵심적인 역할을 할 예정"이라며 "디시는 삼성전자와의 협력을 통해 고객들에게 더욱 우수한 이동통신 서비스를 제공하고, 향후 통신 경험을 더욱 풍요롭게 해주는 5G 기술 혁신을 지속할 계획"이라고 말했습니다. 

 

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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