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LG, 5년간 106조원 투자…배터리 등 미래성장 분야 집중

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Thursday, May 26, 2022, 11:05:05

그룹 중장기 계획 확정
배터리·배터리소재 등에 43조원 투입
5만명 신규 채용 병행

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣLG그룹이 2026년까지 국내에만 106조원을 투자한다고 26일 밝혔습니다.

 

LG에 따르면 최근 그룹 내 계열사로부터 투자 및 채용 계획을 집계, 이를 토대로 그룹의 중장기 계획을 확정하고 국내 연구개발(R&D), 최첨단 고부가 생산시설 확충, 인프라 구축 등에 투자 분야와 금액 등을 결정했습니다.

 

LG는 총 투자액 가운데 약 40%인 43조원을 미래성장 분야에 배정할 계획입니다. 그중 절반에 가까운 21조원을 배터리 및 배터리소재, 전장, 차세대 디스플레이, AI·데이터, 바이오, 친환경 클린테크 분야의 R&D에 집중 투입합니다.

 

우선 배터리와 배터리 소재 분야에 5년간 10조원 이상을 투자합니다. LG에너지솔루션은 충북 오창공장에 대한 추가 투자를 단행해 원통형 배터리 등을 생산할 계획입니다.

 

또한 전고체 전지, 리튬황 전지 등 차세대 전지 개발에 주력하는 동시에 배터리 리사이클 등 자원선순환 시스템 구축, 배터리 데이터를 활용한 진단 및 수명 예측 등의 BaaS(Battery as a Service) 플랫폼과 같은 신규 사업도 추진합니다.

 

LG화학은 세계 1위 종합 전지 소재 회사로 성장한다는 목표 아래 양극재, 분리막, 탄소나노튜브 등 배터리 소재 분야에 2026년까지 1조7000억원을 투입할 예정입니다.

 

배터리 소재 육성을 위해 현재 경북 구미에 양극재 공장을 건설 중이며 기술력과 시장성을 갖춘 기업을 대상으로 인수합병(M&A), JV(조인트벤처) 설립 등도 검토하고 있습니다.

 

AI 및 데이터 분야에는 3조6000억원을 투입할 방침입니다. 2020년 그룹 차원의 AI연구 허브로 설립된 'LG AI연구원'을 중심으로 초거대 AI 'EXAONE(엑사원)' 및 AI 관련 연구개발에 집중할 계획입니다.

 

또한 바이오 분야 혁신 신약 개발을 위해 1조5000억원 이상을 투입하며 생분해성 플라스틱, 신재생 에너지 산업소재 등 친환경 클린테크 분야에 5년간 1조8000억원을 투자합니다.

 

아울러 스마트가전, TV, IT·통신 등 기존 주력 사업에도 지속해서 투자해 글로벌 시장에서 각 사업을 '챔피언'으로 육성한다는 목표를 세웠습니다.

 

이와 함께 LG는 5년간 5만명 직접 채용 계획도 공개했습니다. 신규 첨단사업을 중심으로 앞으로 3년간 AI, 소프트웨어(SW), 빅데이터, 친환경 소재, 배터리 등의 R&D 분야에서만 전체 채용 인원의 10%가 넘는 3000명 이상을 채용할 방침입니다.

 

구광모 ㈜LG 대표는 이달 30일부터 한 달간 계열사 경영진들과 함께 '전략보고회'를 열어 중장기 계획을 점검하고 계획대로 실행될 수 있도록 독려할 예정입니다.

 

LG 관계자는 "이번 전략보고회를 통해 LG그룹의 최첨단 고부가 제품 생산기지 및 연구개발 핵심 기지로서 한국의 위상은 지속돼야 한다는데 그룹 내 공감대를 형성할 계획"이라고 말했습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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