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SK에코플랜트, ‘BDD 전극’ 활용한 폐수처리 기술 개발한다

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Thursday, August 18, 2022, 09:08:46

미시간기술과 수처리 위한 전기화학적 산화기술 개발키로
BDD 전극 활용한 신기술 개발 및 현장 실증 착수 예정

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣSK에코플랜트는 하폐수 처리기술 전문 기업인 미시간기술과 고농도 폐수처리를 위한 스마트 전기화학적 산화 시스템 공동개발 협약을 체결했다고 18일 밝혔습니다.

 

이번 협약은 기존의 폐수 처리 과정에서 미생물을 활용하는 방식으로는 처리가 어렵고, 물리화학적 방식으로 처리할 경우 환경 오염 등의 문제가 발생할 수 있는 등의 한계에 따라 이를 해결하고자 이뤄졌습니다.

 

협약을 통해 양사는 붕소 코팅 다이아몬드(BDD) 전극을 활용한 전기화학적 산화(ECO) 방식의 고농도 폐수 처리 신기술 개발 및 현장 실증을 위해 협력하기로 약속했습니다.

 

SK에코플랜트에 따르면, 전기화학적 산화 방식의 처리 기술은 전극에 전류를 흘렸을 때 폐수와 전극사이에서 전자가 교환되는 원리를 바탕으로 개발됩니다.

 

해당 방식은 깨끗한 물만 남기는 고도처리 솔루션으로 다른 수처리 방식과 달리 정화가 2번에 걸쳐 이뤄집니다. 음전극에서 생성되는 '수산화라디칼'과 염소와 물과 만나 생성되는 '차아염소산'을 통해 오염물질 분해 및 폐수 내 유기물 정화가 진행되게 됩니다.

 

특히, 이번 연구에 사용되는 BDD 전극은 다른 전극에 비해 정화 효율과 내구성이 매우 높아 3세대 전극으로 불리고 있습니다. BDD를 활용한 수처리 기술은 뛰어난 오염물질 제거효율과 높은 경제성을 갖췄다고 평가받고 있습니다.

 

양 사는 국내 최초로 실제 현장에 실증 규모로 BDD 전극을 활용한 전기화학적 설비를 구축할 방침입니다. 또, 1년여 간 장기 연속운전 실증을 통해 전극의 내구성, 효율성 등을 판단하는 테스트에도 지속 나설 예정입니다.

 

SK에코플랜트는 공동 기술개발을 총괄하며 테스트 결과를 종합해 최적운영조건을 도출하는 역할을 맡게 되며 인공지능 및 디지털 기술을 접목한 무인화 공정 개발에도 나서게 됩니다. 향후에는 기존 하·폐수처리시설을 포함해 고농도 폐수가 발생하는 사업장에 신기술 적용을 추진할 계획입니다.

 

아울러, 산업 고도화와 화학 관련 공업의 발전으로 지속 증가추세에 있는 고농도 폐수처리 시장을 선도하고, 향후 환경규제정책 강화에 대비해 선제적 대응 역량을 갖춘다는 목표입니다.

 

김병권 SK에코플랜트 에코랩센터 대표는 "SK에코플랜트의 기술혁신은 환경사업이 당면한 취약점을 해결하는 것은 물론 지속가능한 발전을 위한 지향점까지 찾아가는 데 초점이 맞춰져 있다"며 "혁신 기술들을 지속 발굴해 환경사업을 고도화하는 노력을 이어나갈 것"이라고 말했습니다.

 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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