검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Company 기업

[인더보드]이재용 삼성전자 부회장, 10년만에 회장 승진

URL복사

Thursday, October 27, 2022, 11:10:41

[이사회를 통한 기업 읽기]
삼성전자 이사회, 이 부회장 승진 안건 의결
이재용 회장 시대 본격 시작…책임경영 강화 예고

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 삼성전자 회장으로 승진했습니다. 2012년 부회장으로 승진 한 이후 10년만에 '회장' 직함을 얻었습니다. 

 

27일 삼성전자에 따르면 이날 이사회를 열어 이 부회장의 승진을 의결했습니다. 이 부회장의 회장 승진 안건은 사외이사인 김한조 이사회 의장이 발의했으며, 이사회 논의를 거쳐 가결했습니다. 이에 따라 이 회장은 2018년 공정거래위원회로부터 삼성그룹의 동일인(총수)으로 지정된 지 4년여 만에 공식 회장 직함을 얻게 됐습니다. 

 

삼성전자 이사회는 글로벌 대외 여건이 악화하고 있는 가운데 ▲ 책임 경영 강화 ▲ 경영 안정성 제고 ▲ 신속하고 과감한 의사결정이 절실하다고 판단해 이같이 의결했다고 설명했습니다. 

 

1968년생인 이 회장은 경복고와 서울대 동양사학과를 졸업한 뒤 1991년 삼성전자에 입사했습니다. 일본 게이오기주쿠대 대학원 경영관리학과를 거쳐 미국 하버드대 비즈니스스쿨 경영학박사 과정을 수료했습니다. 

 

2001년 삼성전자 경영기획실 상무보로 복귀해 본격적인 경영수업을 받기 시작했으며 2003년 상무로 승진했고 2007년 1월 전무 겸 최고고객책임자(CCO)로 승진했습니다.

 

2009년 에버랜드 전환사채 발행 사건이 대법원에서 무죄로 마무리되면서 삼성전자 오너 일가의 후계 구도 재편이 가시화했고, 같은 해 12월 부사장 겸 최고운영책임자(COO)에 오른 뒤 2012년 부회장으로 승진하며 명실상부한 삼성전자의 2인자로 인정을 받았습니다. 2014년 5월 부친인 고 이건희 삼성전자 회장이 급성 심근경색으로 쓰러진 이후 경영 전면에 나섰습니다. 

 

이듬해 5월 삼성생명공익재단과 삼성문화재단 이사장에 선임되며 그룹 승계를 위한 절차를 본격적으로 밟기 시작했습니다. 2016년 10월에는 삼성전자 등기이사에 올랐지만 이후 박근혜 정부 국정농단 사건에 연루되면서 삼성그룹 총수로는 처음으로 수감되었습니다. 

 

지난해 8월 가석방된 이 회장은 형기가 종료된 뒤에도 5년 동안의 취업 제한 규정 때문에 경영 활동에 제약을 받았지만 올해 8월 윤석열 정부의 광복절 특별사면으로 복권되며 모든 제한이 풀렸습니다. 

 

이 회장은 2019년 10월 임기만료로 등기이사에서 물러난 상태입니다. 이에 따라 책임 경영 차원에서 내년 3월 삼성전자 이사회와 주주총회를 거쳐 등기 임원에 오를 가능성이 커졌습니다. 이 회장은 이날 별도의 취임 행사를 열지 않고 서울중앙지법에서 열린 '부당합병·회계부정' 1심 속행 공판에 출석했습니다. 

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너