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에스티큐브 면역관문억제제, 국제일반명 ‘넬마스토바트’ 확정

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Wednesday, December 07, 2022, 11:12:07

내년 JP모건 헬스케어 컨퍼런스 참석 예정

 

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ에스티큐브는 면역관문억제제 ‘hSTC810’의 국제일반명이 ‘넬마스토바트(nelmastobart)’로 확정됐다고 7일 밝혔다.

 

‘넬마스토바트(nelmastobart)’는 ‘nelma’라는 고유접두사에 ‘sto(면역활성화)+bart(인공항체)’라는 접미사를 붙인 것으로 ‘면역관문억제제의 새로운 축’이라는 뜻이다.

 

국제일반명(INN)이란 세계보건기구(WHO)가 규정한 의약물질에 주어지는 공식명칭으로 성분명 처방제를 시행하는 국가에서 의약품을 상용화하려면 필수로 갖춰야 한다. ‘넬마스토바트’는 내년 1월 WHO에 공식 등재된다.

 

정현진 에스티큐브 대표는 “넬마스토바트의 글로벌 임상 1상은 현재 용량제한독성반응을 보기 위한 마지막 용량코호트 투약을 시작했으며, 보충코호트를 통해 최적의 효과 용량을 검증하고 있다”며 “내년 1월 중순경에는 임상1상이 종료될 예정으로 넬마스토바트의 라이선스아웃 등 전략적 관계에 대한 논의를 빠르게 진행시킬 것”이라고 말했다.

 

한편, 정현진 에스티큐브 대표는 내년 1월 미국 샌프란시스코에서 개최되는 JP모건 헬스케어 컨퍼런스에 공식 초청돼 참석할 예정이다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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