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최태원 SK회장 “한·미·일 지정학적 도전 속 긴밀히 협력해야”

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Wednesday, December 07, 2022, 10:12:04

최 회장, 워싱턴 D.C. '2022 트랜스 퍼시픽 다이얼로그' 참석
조태용 주미대사, 도미타 코지 주미 일본대사 등 만나 양국 협력방안 논의

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ최태원 SK그룹 회장이 한국과 미국, 일본이 최근 도드라지고 있는 지정학적 위기를 타개하기 위해 더욱 긴밀히 협력해야 한다고 주장했습니다. 

 

최종현학술원 이사장인 최태원 회장은 지난 5일(현지시간) 학술원이 미국 워싱턴 D.C. 인근에서 마련한 '2022 트랜스 퍼시픽 다이얼로그(Trans-Pacific Dialogue. 이하 TPD)'에 참석해 글로벌 이슈 해결을 위해 한·미·일이 함께 지혜를 모을 것을 강조했습니다. 

 

TPD는 한·미·일 3국의 전현직 고위 관료와 세계적 석학, 싱크탱크, 재계 인사들이 한자리에 모여 동북아와 태평양 지역의 국제 현안을 논의하고 경제안보 협력의 해법을 모색하는 집단지성 플랫폼으로 지난해 처음 개최했습니다. 

 

러시아의 우크라이나 침공 및 대만과 중국의 긴장 관계 고조 등 국제 정세의 불확실성이 증대됨에 따라 올해는 ▲미·중 전략 경쟁 ▲우크라이나 전쟁 이후 미국의 글로벌 전략 ▲북핵 위기 ▲첨단과학 혁신이 지정학에 미치는 영향 ▲글로벌 공급망의 미래와 인플레이션 등의 주제로 다양한 논의가 이뤄졌습니다. 

 

최태원 회장은 첫 순서인 '한·일 특별세션'에서 "우크라이나 전쟁과 글로벌 공급망 문제 등 지정학적 도전에 직면해 있는 지금 한국과 일본은 단순히 관계 개선을 넘어 글로벌 차원에서 기후변화를 비롯한 인류 공통의 과제를 해결하기 위해 긴밀히 협력해야 한다"고 말했습니다. 

 

이날 특별세션에는 조태용 주미 한국대사와 도미타 코지 주미 일본대사가 나란히 앉아 눈길을 끌었습니다. 조 대사는 "한일 문제는 해결하기 어려운 문제임에도 불구하고 양국 지도자들의 신뢰와 호의를 기반으로 대화가 진전될 것"이라며 "양국의 관계 개선이 앞으로 환태평양 지역의 협력과 상생에 기여하게 될 것"이라고 말했습니다.  

 

도미타 대사는 "일본과 한국이 협력의 범위를 넓혀 양국의 관계를 더 큰 차원인 세계적인 맥락에 놓을 필요가 있다"면서 "서로의 파트너십에 대한 새로운 자신감을 가지고 긍정적인 미래를 기대할 것"이라고 주장했습니다. 

 

이번 행사에는 미국의 정관계 인사들도 대거 참여해 높은 관심을 보였다는 후문입니다.  

 

첫날에는 존 아이켄베리 프린스턴대 석좌교수, 존 햄리 CSIS 소장, 조셉 윤 태평양도서국 협약 특임대사 등이 참석했으며 둘째날에는 커트 캠벨 백악관 국가안전보장회의(NSC) 인도·태평양 조정관, 존 오소프 상원의원(조지아주), 척 헤이글 전 국방부 장관 등이 TPD에 참석했습니다. 일본에서도 후지사키 이치로 나카소네 평화연구소 이사장, 히로세 나오시 전 경제산업성 무역정책 국장, 마츠카와 루이 참의원, 키타가미 케이로 중의원도 참석했습니다. 

 

최종현학술원 측은 "'한·미·일 3국의 집단지성 플랫폼’이라는 최태원 회장의 구상에 공감한 글로벌 리더들이 팬데믹 여진이 남아있음에도 TPD에 대거 참여한 것은 그만큼 복잡해진 국제 정세와 공동 과제 해결을 위해서는 상호 협력과 정책공조가 절실하기 때문인 것으로 보인다"고 밝혔습니다. 

 

SK그룹 관계자는 "최태원 회장은 올해 들어서만 미국을 세번째 방문한 것을 비롯해 민간 경제외교에 주력하고 있다"면서 "앞으로도 최 회장과 SK그룹은 이번 TPD처럼 베이징포럼, 상하이포럼, 도쿄포럼 등 범태평양 국가에서 운영해 왔던 민간외교의 플랫폼을 활용해 민간 경제외교를 지속해 나갈 것"이라고 말했습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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