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한은법1조 꺼내든 이창용 “최종금리 3.5% 정책약속 아냐”

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Tuesday, December 20, 2022, 15:12:06

"내년 물가상승률 높은 수준 지속 예상"
"물가 중점 통화정책 운영 이어나갈 것"
"금리인하론 확실한 근거없인 시기상조"

인더뉴스 문승현 기자ㅣ"한국은행법 1조에도 명시돼 있듯…"


이창용 한국은행 총재가 한은법을 거론하고 나섰습니다.

 

한은법 1조(목적)는 '이 법은 한국은행을 설립하고 효율적인 통화신용정책 수립과 집행을 통해 물가안정을 도모함으로써 국민경제의 건전한 발전에 이바지함을 목적으로 한다'고 규정합니다. 1조2항에는 '한국은행은 통화신용정책을 수행할 때에는 금융안정에 유의해야 한다'고도 돼 있습니다.


모든 경제주체가 금리에 촉각을 곤두세우는 요즘 이창용 총재의 '한은법 강의'가 던지는 메시지와 그 함의가 작지 않아 보입니다.

 


이 총재는 20일 물가안정 목표 운영상황 점검 기자간담회에서 "한은의 물가우선정책은 그 멘데이트(mandate·정책목표)를 바꿀 수 없다. 한은법 1조에도 명시됐듯 한은은 물가안정을 우선하게 돼 있다"고 말했습니다.


이 총재는 또 "내년 중 물가상승률이 상고하저 흐름을 나타내면서 점차 낮아지더라도 물가목표 2%를 웃도는 높은 수준이 지속될 것으로 예상되는 만큼 물가에 중점을 둔 통화정책 운영을 이어나갈 필요가 있겠다"고 밝혔습니다.


한은법까지 꺼내든 이 총재의 발언이 주목되는 건 지난 11월말 기준금리를 3.25%(0.25%포인트↑)로 상향한 올해 마지막 금융통화위원회에서 다수의 금통위원(6명중 3명)이 금리인상의 최종기착지점을 연 3.5% 정도로 예상했기 때문입니다.


이는 곧 1차례 더 0.25%포인트 인상하는 베이비 스텝을 밟은 뒤 금리인상 흐름이 멈춰설 수도 있다는 시장의 해석으로 이어졌습니다. 그로부터 한달 가까이 지난 이날 물가안정에 방점을 찍은 이 총재의 원론적 발언이 금리인상 랠리 종식 기대감과 상당한 거리를 둔 것으로 받아들여지는 건 이 때문입니다.

 


이 총재는 이날 간담회에서 "11월 금통위 당시 다수의 금통위원이 이번 금리인상기 최종금리 수준으로 3.5%를 생각하고 있다고 밝혔지만 이는 시장과 소통을 위한 것이었지 정책 약속은 아니었다"며 "경제상황이 바뀌면 언제든 바뀔 수 있다"고 강조하기도 했습니다.


금리인하 가능성을 묻는 질문에는 "물가상승세가 중장기 목표 수준으로 수렴한다는 보다 확실한 근거가 있을 때 인하 논의를 하는 것이다. 그전에는 시기상조라는 게 11월 금통위원 대부분의 의견이었다"고 못박으면서 "내년 1월에 보다 자세히 논의할 기회가 있을 것"이라고 답했습니다.


이 총재는 "물가상승률이 5%에서 상당폭 내려와 중장기적으로 물가안정목표에 수렴한다는 확신이 들면 2%로 가기 전이라도 물가안정과 금융안정을 같이 고려하는 게 당연한 중앙은행의 통화정책 방법"이라며 "물가 오름세 둔화 속도와 관련한 불확실성이 큰 상황인 만큼 앞으로 발표되는 데이터를 통해 그간의 정책이 국내경기 둔화 속도에 미치는 영향을 살펴볼 것"이라고 밝혔습니다.


그러면서 "금리상승으로 인한 부동산 가격조정과 이에 따른 금융안정 저하 가능성, 경제 각 부문에 미칠 수 있는 예상치 못한 부작용 등에 대해서도 각별히 살펴보도록 하겠다"며 "최근 미 연방준비제도 등 주요국 정책금리 변화도 함께 고려하면서 정교하게 대응해 가겠다"고 부연했습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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