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슈프리마아이디, ‘잭팟’ 터진 투자조합들...물량 폭탄 주의보

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Monday, May 08, 2023, 06:05:00

경영권 변경 공시 전후 주가 폭등..FI, 단기 수백억 차익 가능
유통주식수 적은 소위 ‘품절주’..매물 투하시 변동성 확대 우려

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ코스닥 상장사 슈프리마아이디의 최대주주 변경이 예고된 가운데 주식양수도 계약에 함께 참여한 FI(재무적 투자자)들이 주가 폭등과 함께 단기간에 수백억원 규모의 시세차익을 볼 수 있는 상황이 마련됐다.

 

이들은 경영권 변경과 함께 총 주식 수 대비 34.78%에 해당하는 구주 매입을 진행하고 있고 오는 18일 잔금이 납입되면 주식을 넘겨받게 된다. 대규모 물량이지만 보호예수 조건이 없어 언제든 시장이 출회될 수 있는 상황이고, 조합 해산 후 현물 배분에 나설 경우 5% 공시 의무에서도 벗어나게 된다.

 

해당 물량이 적지 않은 규모인데다 슈프리마아이디의 유통주식 수가 적다 보니 물량 출회로 인한 주가 변동성 확대에 주의해야 한다는 지적이 나온다.

 

8일 금융투자업계 및 한국거래소에 따르면 슈프리마아이디의 주가는 지난 한달 새 폭등세를 연출했다. 1만 5000원 전후에서 등락하던 주가가 경영권 변동 소식과 함께 급등세를 이어가며 순식간에 6만원 위로 올라선 것.

 

글로벌원-위드윈신기술투자조합1호는 지난달 11일 슈프리마에이치큐로부터 슈프리마아이디의 구주 58만 1311주를 주당 3만 5600원에 양수한다는 계약을 체결했다. 오는 18일 계약이 완료되면 19.03%의 지분을 확보해 최대주주에 오르게 된다.

 

 

계약 전후로 슈프리마아이디의 주가가 폭등하면서 글로벌원-위드윈신기술투자조합1호와 함께 구주를 인수한 투자조합들이 대규모 차익을 실현하며 엑시트(투자금 회수)할 수 있는 구조가 마련됐다. 케이비1호조합, 비투1호조합, 에스티피바이오인수목적조합은 각각 35만 1330주, 33만 4254주, 29만 655주를 슈프리마에이치큐로부터 인수했다.

 

이들이 인수한 물량은 약 347억원 규모로 총 주식 수 대비 34.78%에 달하는 규모다. 전체 물량이 모두 구주로 양수 계약이 완료되면 당장이라도 시장에 쏟아질 수 있는 상황이다. 현재 주가가 유지될 경우 이들은 수백억원 가량의 차익 실현이 가능할 전망이다.

 

해당 조합들은 모두 주로 개인들이 조합원으로 참여하고 있고, 일부는 코스닥 한계기업들에 종종 이름을 올린 인물들도 포함돼 있다. 특히 케이비1조합과 에스티피바이오인수목적조합은 사실상 같은 주체가 이끄는 것으로 보인다. 이 두 곳의 조합은 서울 강남의 한 공유오피스 내 같은 주소지에 이름을 올린 상태다.

 

증권가에서는 슈프리마아이디에 대한 투자에 각별한 주의가 필요하다고 경고음을 울리고 있다. 경영권 변경 계약 발표 전부터 일주일 사이 두배 넘게 주가가 급등하며 미공개 정보 유출 의혹이 부각됐고, 유통물량이 부족한 소위 ‘품절주’이기 때문에 투자조합의 물량이 시장이 출하될 수 변동성이 크게 확대될 수 있다는 해석이다.

 

금융투자업계 관계자는 “계약이 완료되는 18일을 기점으로 변동성이 확대될 수 있다”며 “투자조합이 보유한 물량이 총 주식수 대비 34%나 되기 때문에 일시에 물량이 출하된다면 주가가 과도하게 하락할 수 있다”고 말했다.

 

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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