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SK하이닉스, 반도체 업무 특화 생성형 AI 플랫폼 ‘가이아’ 공개

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Thursday, August 14, 2025, 10:08:41

부서·업무별 맞춤형 AI 에이전트 개발 가능
플랫폼 내 AI 서비스 3종으로 사내 AX 가속화

 

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스가 반도체 업무 전반에 최적화된 생성형 AI 플랫폼 가이아(GaiA)를 개발했습니다.

 

SK하이닉스[000660]는 자사 뉴스룸을 통해 "DT(Digital Transformation)를 중심으로 AI 전환(AIX)을 가속하고 있으며 AI를 활용한 업무 효율 향상, 전략 수립, 비즈니스 개선을 전사적으로 추진하고 있다"라며 "업무 혁신을 위한 AI 플랫폼 및 생성형 AI 서비스 3종을 개발했다"라고 14일 밝혔습니다.

 

반도체 업무에 특화된 생성형 AI 플랫폼 가이아는 부서·업무별 맞춤형 AI 에이전트를 개발할 수 있으며 피드백 루프 체계를 통해 현업 도메인의 지식과 경험을 지속적으로 반영할 수 있는 환경도 제공한다.

 

또, 구성원들이 사내 보안망 내에서 안전하게 생성형 AI를 활용하고 업무 특화 서비스를 개발 및 운영하도록 지원합니다.

 

이번 GaiA 플랫폼은 ▲비즈(Biz) 특화 ▲LLM Chat(거대언어모델 챗) ▲에이닷 비즈(A. BBiz) 등 3종의 생성형 AI 서비스로 구성됩니다.

 

 

비즈 특화 서비스는 지난 7월 ▲장비 보전 에이전트 ▲글로벌 정책·기술 분석 에이전트 ▲HR 제도 에이전트 ▲회의 에이전트 등을 베타 오픈했습니다. 이들 서비스는 반도체 생산·제조에 활용할 수 있는 점이 특징이며 실제로 개발, 양산 현장에서 활용되며 긍정적인 반응을 이끌고 있습니다.

 

8월 초에는 전사 구성원 대상으로 SK하이닉스 전용 챗GPT 서비스인 'LLM Chat'을 베타 오픈했습니다. LLM Chat을 이용하면 사내 보안망으로 안전하게 접속해 사내 데이터 및 지식 기반의 질의응답 서비스로 업무를 효율화할 수 있습니다.

 

11월 정식 공개 예정인 에이닷 비즈는 일반 업무와 전문 업무를 모두 지원하는 AI 비서 서비스로 회의록, 보고서 작성 등과 같은 일반 사무를 비롯해 구매, 채용, 세무, 법무, PR 등 전문 업무도 맡길 수 있습니다. 가이아와의 연계를 목표로 SK텔레콤[01670]과 개발 중입니다.

 

이번 가이아 플랫폼을 구성하는 AI 서비스 3종은 SK하이닉스의 '생성형 AI 로드맵'에 맞춰 완성됐습니다. 지난 2023년부터 회사는 ▲네이티브 RAG + LLM(2023) ▲에이전트 및 작업 도구(2024) ▲에이전틱 AI(2025) ▲에이전트 오케스트레이션(2025) 순서로 AI 서비스를 개발 중입니다.

 

SK하이닉스는 "한 차원 진화한 형태의 AI 시스템도 준비 중"이라며 "최종 목표는 에이전트 오케스트레이션 기술로 A2A(Agent to Agent)를 구현하는 것"이라고 설명했습니다.

 

A2A는 에이전트 간 상호 소통하며 역할을 분담하고, 스스로 문제를 해결하는 시스템을 말합니다. 그 중심에는 자원을 최적화하고 효율적인 에이전트 조합으로 워크 플로(Work Flow)를 구성하는 에이전트 오케스트레이션이 있습니다.

 

향후 SK하이닉스는 다양한 에이전트가 협업하는 A2A로 유연하고 단계적인 문제 해결 방식을 도입한다는 계획입니다. 또한, 비즈 특화·LLM Chat·그룹사 에이닷 비즈를 하나로 통합한 에이전틱 AI를 개발하는 동시에 기존 RAG + LLM 인터페이스의 한계를 극복하고 팹(Fab) 내 모든 시스템을 연결하는 통합적 스마트팩토리도 구현한다는 방침입니다.

 

SK하이닉스는 "전 세계가 주목하고 있는 에이전틱 AI를 반도체 산업에 특화해 개발하고 전사적으로 접목해 업무 효율성과 혁신성을 끌어올릴 것"이라며 "올해는 에이전틱 AI를 더 고도화하고 에이전트 오케스트레이션을 개발해 또 한 번의 생성형 AI 혁신을 이룰 것"이라고 말했습니다.

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이종현 기자 flopig2001@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




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